InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展

InGaN/GaN量子阱太阳能电池在扩宽氮化物半导体太阳能电池光谱响应和提高电池效率方面有较大优势,近几年来受到了广泛关注.本文回顾了InGaN/GaN量子阱电池发展历程,论述了量子阱区域结构设计和外界条件对InGaN/GaN量子阱电池效率的影响,介绍了为提高InGaN/GaN量子阱电池效率所进行的关键工艺技术研究,总结了实现高效InGaN/GaN量子阱电池需要解决的问题和可能解决方案,为高效InGaN/GaN量子阱电池的实现提供参考.

Ag厚度对其反射率的影响

采用射频磁控溅射方法在石英片上生长不同厚度Ag薄膜,测试了Ag膜反射率变化随厚度的变化关系,利用AFM和SEM分别研究Ag膜厚度对其表面粗糙度和形貌的影响。结果表明:Ag厚度在130nm以下时,随着厚度的增加,透射率急剧下降,其反射率逐渐增加;当厚度超过130nm时,透射率不再变化,由于表面RMS的增加使得散射损耗增大,使得其反射率随着厚度增加而减小。