散斑照相法测量面内位移的数字显示

叙述一种散斑照相法测量面内位移的数字显示方法 .采用实时测量 ,用 CCD记录散斑图样 ,离散化的数据送入计算机 .计算机的数字显示可产生较好的条纹图样和位移测量值 .给出悬臂梁微小位移的实验结果 .

缝全息图象差研究

分析缝全息图象差的特性，指出全息图尺寸变化率和重现光与记录波长变化率对全息图象差的影响计算缝全息图象差的特性曲线，讨论消除和减少全息象差的条件．提出减少缝全息图象差的方法。

利用金属过渡层低温键合硅晶片

在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.

太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利于优化THz Si／SiGe量子级联激光器结构。

Ge／Si(100)量子点生长与形态分布的研究

利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理。结果表明，从二维向三维岛跃迁后，最初形成的高宽比（高度与底宽的比值）在0．04～0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛，两种岛的分布随淀积参数的变化而变化。在高温下小岛几乎消失，流量的变化对小岛的密度影响较小。实验中获得小岛的密度最高为2．6×10^10cm^-2，圆顶岛的密度最高为4．2×10^9cm^-2。

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.

使用液晶光阀的实时计算机制全息图的产生

提出一种利用液晶光阀作为实时记录介质的计算机制全息图的产生方法，分析了这种实时计算机制全息图的制作原理和系统设计．给出计算机制全息图的再现图象．实验结果证实了这一方法的正确性．

微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用

文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。

光电混合的修正振幅调制的联合变换相关器作多目标检测

提出一种实现光电混合的修正振幅调制的联合变换相关器作多目标检测的实验系统．这一结构属于可编程的单空间光调制器的联合变换相关器．为提高系统的分辨本领和空间带宽积，可编程的单空间光调制器由液晶显示屏、成像透镜和液晶光阀组成．这种方法具有光学处理信号是平行进行、大容量和高速度等优点，又有计算机对联合功率谱进行处理的灵活性和可编程等优点．实验结果证实了光电混合的修正振幅调制的联合变换相关器作多目标检测的正确性．

Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。

退火温度对嵌入Si中的β-FeSi_2颗粒发光的影响

研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热膨胀系数的不同,在Si中引入位错,导致样品的光致发光谱展宽和形成的二极管漏电流增大.而在800℃下退火的样品,具有较低的漏电流和较强的室温电致发光谱.

提高激光全息标识防伪性能的新技术──加密码法

提高激光全息标识防伪性能的新技术──加密码法刘守，张向苏，赖虹凯，黄立山ＮｅｗＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓｏｆＩｍｐｒｏｖｉｎｇｔｈｅＡｎｔｉｃｏｕｎｔｅｒｆｅｉｔＰｏｗｅｒｏｆＨｏｌｏｇｒａｍｓ—ＨｏｌｏｇｒａｐｈｉｃＳｅｃｒｅｔＣｏｄｅｓ￥ＬｉｕＳｈｏｕ...

β-FeSi2材料的生长、性质及其在光电子器件中的应用

过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料，禁带宽度约0．8eV，是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池，热电器件等最有发展前景的硅基材料之一。目前，已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试，取得了一定的成功。文中就近年来β-FeSi2薄膜材料的生长，性质以及在光电子器件中的应用进行了评述。

Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势。

基于联合变换相关器的光电混合指纹识别技术

指纹识别具有很好的方便性和可靠性,是现代社会应用最广的生物特征识别技术.本文介绍指纹识别技术的发展和分类,论述了基于联合变换相关器的光电混合指纹识别技术,包括指纹取像技术与指纹预处理、指纹图像的匹配、系统的性能参数的定义以及光学联合变换相关器的各种改进方法,讨论了光电混合指纹识别技术的发展方向.

加密码全息防伪标识的研究与应用

加密码全息防伪标识的研究与应用厦门大学物理系刘守，张向苏，赖虹凯二十世纪八、九十年代，激光模压全息图用作产品的安全防伪是遥遥领先的。但是，随着全息技术的普及和全息公司的不断增加，普通制作全息标识的技术很快失去了它有效的防伪功能，取而代之的是加密码全息...

Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光

由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-xGex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-yGey(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上。在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%。在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。

干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征

SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.

图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析

利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放.

合金条件对Al/n^+-Ge欧姆接触的影响

Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3～1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-Ge材料,掺杂浓度为1.5×1019cm-3;依据圆形传输线模型(CTLM)制备了一系列Al/n+-Ge样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-Ge样品通过400℃快速热退火(RTA)30 s表现出欧姆接触特性,并且接触电阻率ρc最低,为1.3×10-5Ω·cm2。