一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT设计

为改善传统槽栅IGBT结构开启损耗和电磁干扰噪声两种电学参数间的矛盾关系,在N型Poly栅极和槽栅底部之间引入P型Poly栅极,提出了一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT结构(PDG-TIGBT),并实现了工艺制程的设计。多晶硅栅结构中的低掺杂P型Poly栅极与漂移区相互耗尽形成栅内耗尽电容,在较高的集电极电压下可将器件密勒电容C_(GC)降低70.7%,并将槽栅底部电位V_(acc)抬升146%。密勒电容的减小和槽栅底部电位的提升可有效优化IGBT开启特性与噪声特性的折中关系,仿真结果表明:相较于传统槽栅结构,PDG-TIGBT有效地抑制了电磁干扰噪声对器件电学性能的影响。在开启瞬态,PDG-TIGBT的槽栅底部电位增长速度dV_(acc)/dt减小23.5%,集电极电流变化率最大值dI_(CE)/dt_((max))减小45.8%。在开启损耗E_(ON)保持一致的前提下,PDG-TIGBT的dI_(CE)/dt_((max))减小了84.2%,dV_(KA)/dt_((max))下降了44.4%。

谁杀死了它

我是一只漂亮的小鸟,整天与小伙伴们快乐地玩耍,但不幸的事发生了。前几天,我与百灵、麻雀、八哥、燕子、鸽子、小鹰一起做游戏,突然,天空中乌云密布,暴风雨无情地摧残着树木与草地,我们便各自回去了。第二天,麻雀的妈妈来到我家说:"昨天小麻雀一晚没回家,不知怎么了,这可怎么办呢?"表现了非常着急与不安。