蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究

介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,加入有机碱及活性剂,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。

蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺研究

对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验,总结出了其影响因素并提出了优化方案。结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的二氧化硅溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效地提高蓝宝石表面的性能及加工效率。

蓝宝石衬底纳米级超光滑表面加工工艺研究

通过对蓝宝石衬底片的化学机械抛光工艺的研究,系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,并经过大量试验,总结出影响因素,提出优化方案。得到的结果是:采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配以适当参数进行抛光,能够有效地提高加工效率和被加工的蓝宝石表面性能。

蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺研究

由于蓝宝石衬底片的精密加工工艺复杂,最优工艺参数尚未明确,是目前国内重点研究的难题。采用X62 81521型抛光机对蓝宝石衬底片的精密加工技术-化学机械抛光工艺进行了研究。通过对蓝宝石抛光工艺性能参数的系统分析,采用了粒径为40 nm、低分散度的碱性SiO2溶胶抛光液;通过大量实验总结,提出了优化方案,在pH值11.7、温度40℃、压力在0.12 MPa至0.15 MPa时,可以获得的去除速率为12.1μm/h,表面粗糙度为0.58 nm,有效地提高了蓝宝石表面的性能及加工效率。

微晶硅薄膜稳定性的研究

通过改变硅烷浓度对微晶硅薄膜材料进行沉积,研究了硅烷浓度与微晶硅晶化率的关系,拉曼光谱的拟合结果表示硅烷浓度越高微晶硅薄膜晶化率越低;研究了不同晶化率的微晶硅薄膜的光衰退现象,结果显示材料的晶化率越高,暗电导率越高,光敏性越低.对微晶硅光电稳定性进行了研究,结果显示微晶硅材料的组成特性决定了其结构特性,材料的光衰退现象主要来自其内部微结构的影响,薄膜材料中的非晶硅组分是导致材料光衰退的主要原因,材料晶化率越高,非晶硅成分含量越低,材料稳定性越好.过渡区附近的微晶硅材料的结构及光电特性更适于制备微晶硅电池.

用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究

对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。

高级数字系统设计课程及教学改革探究

为了提高学生的实践操作能力,提升学习主动性,增强创新意识。文章对高级数字系统设计课程及教学进行了改革,提出了采用"教学做合一"教学模式,并从教学内容选择、教学方法、课程开发、课程设计项目开发几个方面探讨了如何进行课程设计。

蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺研究

系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案。结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。

表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用

表面活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料.本文主要对表面活性剂的作用机理及对硅表面性能的影响进行分析讨论.

碱性纳米SiO_2溶胶在化学机械抛光中的功能

纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识。但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提。纳米SiO2溶胶的表面效应使其表面存在大量的羟基,在CMP过程中纳米SiO2表面羟基与碱反应生成硅酸负离子,硅酸负离子再与硅反应来降低纳米SiO2的表面能量,同时达到除去硅的目的。综上所述,碱性纳米SiO2在CMP的过程中不仅起到了磨料的作用,同时参加了化学反应,在此基础上提出了在碱性条件下纳米SiO2与硅的反应机理。

氢化非晶硅薄膜H含量控制研究进展

氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。介绍了H对薄膜稳定性影响的原理,提出了控制薄膜中的H含量的必要性。分析了H在H稀释硅烷法制备氢化非晶硅中的作用,论述了制备工艺中衬底温度、H稀释比、气体压强等对薄膜H含量的影响及其机理,并对用不同方法控制H含量的优缺点进行了比较,分析了通过以上三种方法控制薄膜H含量的局限性。探寻了控制薄膜H含量的新方法,并对该领域的发展方向进行了展望。

蓝宝石衬底片的抛光研究

本研究对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究,结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜的温度及pH值条件为:T=30℃;13.0>pH≥9.0。并且在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率。实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除可以应用在蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中。

高压高功率VHF-PECVD的微晶硅薄膜高速沉积

采用高压高功率(hphP)甚高频等离子体强强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,在最优沉积条件参数下对hphP和低压低功率(lplP)两组样品沉积速率、光电导、暗电导及光敏性等性能参数进行测试,得到了1.58 nm/s的较高沉积速率、光电性能优秀和更适合薄膜太阳能电池的μc-Si:H薄膜材料。

微晶硅薄膜微结构对稳定性的影响

实验研究了不同晶化率的微晶硅(μc-Si)薄膜的光衰退现象,提出了制备高稳定性硅薄膜太阳电池材料选取方案。研究结果表明,μc-Si中的非晶硅(a-Si)组分是导致光衰退的主要原因,晶化率越高,材料越稳定;过渡区靠近μc-Si材料区域的μc-Si材料,由于具有更好的稳定性和光敏特性,适于制备μc-Si太阳能电池;过渡区附近靠近a-Si材料区域的μc-Si材料,由于具有更高的稳定性,适于制备a-Si太阳能电池。

应用高压高功率的微晶硅薄膜高速沉积

应用高压高功率(hphP)甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,确定了hphP VHF-PECVD法沉积μc-Si:H的最优条件参数,在此参数下对hphP和低压低功率(lplP)两组样品沉积速率、光电导、暗电导及光敏性等性能参数进行测试,得到了1.58 nm的较高沉积速率、光电性能优秀和更适合应用在薄膜太阳能电池生产上的μc-Si:H薄膜材料。