α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究

本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。

溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备钛酸锶钡(BST)薄膜,采用快速热处理(RTA)对薄膜进行烧结。利用DSC、XRD、SEM等技术分析了钛酸锶钡凝胶的热解过程,以及不同溶胶浓度下薄膜的晶粒、晶相、介温特性。实验表明:低浓度的溶胶(0.05mol/L)所制备的薄膜具有较大的介电反常,其晶相具有(111)取向性;而用0.3mol/L的溶胶制备的BST薄膜,晶粒没有(111)取向;用0.05mol/L溶胶制备,使BST薄膜的介温特性得到很大的改善,介温变化率dε(ε·dT)在11°C左右可达6%。

薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致．

铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。

微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。

纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献 .

PECVD法制备纳米硅薄膜材料

采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ） 法制备了纳米硅薄膜材料， 研究了工艺参数， 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。

高效非晶硅叠层太阳电池的优化设计

研究了高效ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素，在内电极的Ｐ／ｎ界面处附加载流子复合是由少数载流于浓度、界面态和Ｐ／ｎ界面处材料的几何因素匹配决定的。利用适当的带隙匹配和ｉ层厚度匹配来实现ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａＳｉＧｅ三结太阳电池结构的最佳化，同时采用改善ｎ／ｉ界面特性的缓冲层技术；获得了Ｖｏｃ＝２．４８Ｖ、Ｊｓｃ＝６．５８ｍＡｃｍ－２、ＦＦ＝７０．４％、在ＡＭＩ光照下转换效率为１１．５％的ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结叠层太阳电池。

a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。

容栅传感器与单片机89C2051的接口及编程

容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ...

一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管

提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 (a -Si:HTFT)结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下 ,这种结构的TFT能有效抑制关态电流 (Ioff)上升的机理。研究了有源层a -Si:H膜层厚度对TFT关态电流和开态电流的影响。检测了这种结构TFT在暗态和背光照射下的静态特性。

硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯

介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近。这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段。

7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。

α-SiC/α-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究

本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-SiC窗口层和分离反应室的PECVD工艺,使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显改善。

非晶硅集成型色敏元件及其传感器

研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结集成型色敏元件及其传感器的制备工艺和结构，详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明，采用ａ－ＳｉＣ／ａ－ＳｉＰＩＮ异质结构和分离反应室的ＰＥＣＶＤ工艺，使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显的改善。利用这种色敏元件及其传感器可以实现高精度的颜色识别。

自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。

a-Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究

对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5／a－SiNx双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构a－Si:HTFT来降低背光源对器件特性的影响，研制的a-Si:HTFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。

实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法 ,在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/IOFF从 10 3量级增加到 10 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。

晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si TFT性能的影响

在普通玻璃衬底上低温 ( 6 0 0℃以下 )制备 poly SiTFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点。采用金属诱导横向晶化法低温研制了 poly SiTFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly SiTFT性能的影响。

多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用

多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一 ,它以其独特的优点 ,在液晶显示领域中扮演着重要角色。简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。