氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜PN结的影响

利用磁控溅射法,在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO:Al(Al掺杂的ZnO或AZO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/ZnO:Al透明异质结二极管。使用UV-1700型分光光度计、KEITHLEY4200-SCS半导体测试仪、JSM-6490LV型扫描电子显微镜等分析氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜性能的影响。实验结果表明:500℃退火范围内,NiO薄膜的透过率随退火温度的升高单调上升,500℃时透过率在80%以上,NiO/ZnO:Al薄膜的透过率明显提高;在400℃时,NiO/ZnO:Al薄膜整流特性最佳。

氮气退火对氧化镍薄膜光电特性的影响

利用磁控溅射法,在K9玻璃基底上沉积氧化镍(NiO)薄膜。采用不同温度对氧化镍薄膜进行氮气退火,使用UV-1700型分光光度计、JSM-6490LV型扫描电子显微镜、四探针电阻计等分析退火后氧化镍薄膜性能的变化。实验结果表明,500℃退火范围内,氧化镍薄膜的透过率随退火温度的升高明显增加,400℃时透过率达到最大在80%以上,且光学带隙最小,结晶度较高,薄膜成分变化较小,更适于太阳电池窗口层的应用研究。

磁控溅射AlN:Mg/ZnO:Al异质结二极管及其光电特性的研究

利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝(AlN:Mg)薄膜、铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al或AZO)薄膜,成功制备AlN:Mg/ZnO:Al透明异质结二极管。实验结果表明:AlN:Mg/ZnO:Al异质结具有明显的I-V整流特性,正向开启电压1 V左右,在氙灯光照下,二极管的反向电流在5V偏置时达到3mA。二极管在可见光区域的平均透过率在80%以上,适用于太阳电池的窗口层的研究。

NAND Flash存储的坏块管理方法

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。

有机气相沉积中薄膜生长的模拟研究

通过对有机气相沉积中气体的传输过程进行模拟,略述了OVPD传输的基本机制。利用蒙特卡洛法对有机蒸气通过掩膜孔的动力学沉积过程进行仿真,仿真结果表明薄膜的形状受沉积参数的影响,例如,分子平均自由程(沉积压强)、掩膜板的尺寸以及掩膜板至基板的距离。分析表明,通过缩小掩膜板至基板的距离,同时减小沉积压强可以提高所成薄膜图案的分辨率,减小掩膜板的厚度可以提高材料的使用效率。

有机气相沉积中薄膜厚度分布的模拟研究

有机气相沉积是一种基于载气体传输的有机薄膜生长方式。为了优化沉积参数,提高有机薄膜的均匀性,建立了简化的OVPD模型,模拟了不同传输条件对流体动力学边界层的影响。建立了有机分子沉积模型并利用蒙特卡洛法对边界层内的沉积过程进行仿真。结果表明在133 Pa的操作压强下使气流雷诺数从0.05增加到15,可获得更薄、更均匀的边界层;沉积速度反比于边界层厚度,并且厚度均匀的边界层有助于获得较好的膜厚分布。

溶胶-凝胶法制备Zn^(2+)掺杂MgO薄膜及光电性能表征

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,利用旋转涂覆技术在玻璃衬底及单晶Si(111)衬底上制备掺Zn2+的MgO薄膜。使用紫外可见光分光光度计测定掺杂薄膜的透过率,并采用XRD和EDS等测试手段研究薄膜的晶向结构和成分。结果表明,胶棉液的含量对成膜质量有重要的影响;随着Zn2+掺杂量的提高,薄膜透过率先增大后减小,在掺杂量为10%时,薄膜有最佳透过率;随着退火温度的升高,薄膜晶粒生长没有出现明显的择优取向。最后,对模拟放电单元进行放电测试,结果表明,在掺杂量为10%时,薄膜有最低着火电压和最高的记忆系数。

多媒体教学模式在小学作文的实践探索

课题中以培养小学生的语文作文中写作能力为主要内容, 在幼龄段的约束下, 学生在学习上好学但不持久, 学习经验欠缺、 理解能力偏低的多种客观因素, 教师通过多媒体的技术的辅助教学, 通过创设文本情境、 细节情境、 生活情境的三个方面进行教学实践, 从而达到优化教学质量, 提高写作能力的最终目的.

面向在轨高效实时图像处理的二值权重沙漏网络加速器设计

为了实现在轨高速实时图像处理,提出了基于多级预测校准机制及查找表方法的二值权重沙漏网络加速器。首先,提出了一种计算架构来统一支持二值权重及多位宽权重卷积计算;其次,提出了多级预测模型来实现可变精度的高效卷积,基于这2种方法可以将网络的计算量降低77.4%,推理速度提升2.3倍。本文针对残差模块中跳转连接造成的存储访问问题,提出了基于模块计算的流水架构,使得片上存储需求及访存操作分别降低了60%和31%,最终在28 nm工艺下完成了硬件后端设计以及性能分析,该加速器的面积为0.7 mm^(2)。在500 MHz工作频率下,功耗为117 mW,功耗效率达到10.15 TOPS/W,与当前主流二值加速器相比提升2个数量级以上。