磁控溅射原理的深入探讨

从更深层次——电子在非均匀电磁场中的运动规律 ,探讨了磁控溅射的更一般原理以及磁场的横向不均匀性及对称性是磁约束的本质原因。对工件温升、临界磁场、脱缚电子的能量及原因。

常见磁控溅射靶材利用率及其计算方法的探讨

探讨了矩形平面、圆形平面和圆柱管这三种常见磁控溅射源的靶材极限利用率的理论计算方法,推出了利用率的近似计算公式,分析了影响利用率的因素。跑道刻蚀形状(宽度和收缩系数)强烈影响平面类静态靶的极限利用率。旋转磁场圆柱管靶材的极限利用率主要决定于靶的自身几何尺寸(壁厚、长度和管径),与跑道的刻蚀形状(即外界的物理因素)几乎没有关系。

等离子体发射监控系统参与的中频孪生反应磁控溅射沉积TiO_2薄膜的实验研究

在一个孪生靶实验装置上进行了中频反应磁控溅射沉积TiO2薄膜的工艺实验。得到了一组真实的反应溅射TiO2薄膜的沉积速率和真空与反应气体流量之间关系的迟滞曲线(无等离子体发射监控系统Plasma Emission Monitoring,PEM)参与。介绍了PEM参与下的反应溅射TiO2的一些实验现象和结果,此时TiO2的沉积速率与PEM设定值呈很好的线性关系,反应溅射可以稳定在过渡态的任一工作点。设定值是PEM控制系统最关键的参数,直接决定着控制的可靠性、反应溅射速率以及薄膜的微观结构。结果表明,为了得到标准化学配比的反应物,PEM的设定值不能超过某个极限值。要在保证化学配比也就是反应物的成分或结构的前提下提高沉积速率才有意义。

内表面等离子体增强化学气相沉积TiN涂层研究

介绍了一种新型等离子体增强化学气相沉积内表面复合处理系统。利用此系统沉积TiN涂层的结果表明,100mm×1000mm316不锈钢管内表面沉积涂层相对均匀,且具有较好的表面特性和机械特性。

电源工作模式对中频磁控溅射沉积速率的影响

在中频孪生靶磁控溅射实验装置上,研究了电源恒压、恒流、恒功率工作模式下沉积速率与气压、电参数之间的关系,得出不同工作模式下电压、电流、功率及频率、占空比对沉积速率的影响:恒流模式下沉积速率稳定性最好,恒压最差;气压变化时,恒功率、恒流工作模式有稳定沉积速率作用;恒流模式下,沉积速率随占空比升高而减小,随频率升高而增大。

Ta_2O_5薄膜与ITO膜之间相互作用的研究

本文提出了在ITO膜上用电子束蒸发的方法沉积了Ta_20_3膜的界面情况.结果表明:用该法制备的试样,二者之间没有明显的相互作用,不影响ITO膜的导电性能.