MoS_(2)的理论比容量高(670 mAh g^(-1)),层间距大,有利于钠离子的嵌入脱出,但由于充放电过程中会不可避免地产生体积膨胀进而造成堆叠,导致容量衰减。合成超小MoS_(2)片与碳材料复合可以有效解决MoS_(2)充放电过程中产生的堆叠问题。...MoS_(2)的理论比容量高(670 mAh g^(-1)),层间距大,有利于钠离子的嵌入脱出,但由于充放电过程中会不可避免地产生体积膨胀进而造成堆叠,导致容量衰减。合成超小MoS_(2)片与碳材料复合可以有效解决MoS_(2)充放电过程中产生的堆叠问题。本工作利用粗酞菁作为前驱体,成功地合成出锚定在3D纳米碳上的超薄MoS_(2).少层的MoS_(2)提供了更多的空间,缓解了钠离子嵌入脱出引起的体积膨胀,并且当固定在碳材料上时,MoS_(2)的(002)层间距提高到了0.67 nm.此外,所得的材料在0.1 C循环200圈后仍能保持356 mAh g^(-1)的比容量,库伦效率保持在99.8%.展开更多
文中利用物联网技术,设计了一款智能家居系统。该系统将51内核的CC2530芯片作为主控芯片,组建无线传感器网络。由终端节点采集数据,并实时传递给协调器;协调器接收多终端数据,并通过串口将数据发送给上位机。在PC端Visual Studio 2017...文中利用物联网技术,设计了一款智能家居系统。该系统将51内核的CC2530芯片作为主控芯片,组建无线传感器网络。由终端节点采集数据,并实时传递给协调器;协调器接收多终端数据,并通过串口将数据发送给上位机。在PC端Visual Studio 2017软件环境下,采用C#语言开发了一个用户界面框架IoT平台,该平台实现了用户命令传输和终端数据的采集与展示。系统具有可远程实时显示终端数据、低成本、低功耗等特点,具有一定的应用价值。展开更多
文摘MoS_(2)的理论比容量高(670 mAh g^(-1)),层间距大,有利于钠离子的嵌入脱出,但由于充放电过程中会不可避免地产生体积膨胀进而造成堆叠,导致容量衰减。合成超小MoS_(2)片与碳材料复合可以有效解决MoS_(2)充放电过程中产生的堆叠问题。本工作利用粗酞菁作为前驱体,成功地合成出锚定在3D纳米碳上的超薄MoS_(2).少层的MoS_(2)提供了更多的空间,缓解了钠离子嵌入脱出引起的体积膨胀,并且当固定在碳材料上时,MoS_(2)的(002)层间距提高到了0.67 nm.此外,所得的材料在0.1 C循环200圈后仍能保持356 mAh g^(-1)的比容量,库伦效率保持在99.8%.
文摘文中利用物联网技术,设计了一款智能家居系统。该系统将51内核的CC2530芯片作为主控芯片,组建无线传感器网络。由终端节点采集数据,并实时传递给协调器;协调器接收多终端数据,并通过串口将数据发送给上位机。在PC端Visual Studio 2017软件环境下,采用C#语言开发了一个用户界面框架IoT平台,该平台实现了用户命令传输和终端数据的采集与展示。系统具有可远程实时显示终端数据、低成本、低功耗等特点,具有一定的应用价值。