红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态

本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。

涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合

在用于发光器件制造的多层ＭＯＣＶＤ外延技术中，用高速氢气流冲洗管路、混合有机源获得晶格匹配好，而且界面过度层薄的突变异质结界面．

用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究

在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．

退火对硅中氧化应力及SiO_2膜电特性的影响

利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击穿特性和固定电荷密度的关系。

N型硅单晶霍尔系数与应力关系的研究

本文针对n型硅单晶,在常温下进行霍尔效应实验,研究了霍尔系数与压缩应力的关系。研究结果表明,样品的霍尔系数绝对值随着作用于样品压缩应力的增加而减少。应力增加一个数量级,霍尔系数绝对值的相对变化小于10%。其与应力的变化关系似乎不是完整的线性关系。在应力方向和电流方向沿〈111〉晶向时,沿不同晶向加磁场,霍尔系数的变化情形几乎没有多大改变。本文还对实验结果作了理论上的定性解释。

Si/Mo结构烧结应力随烧结温度的变化(英文)

提出了一种新的低温烧结硅/钼结构的方法.根据热弹性理论和复合材料层间应力理论,分析了不同烧结温度下硅/钼结构的层间应力情况,并采用红外光弹系统测量了硅片中的应力分布.实验结果表明,硅片中的应力分布随烧结温度的不同而不同,应力随烧结温度的降低而减小.将实验结果与理论结果进行比较,发现两者吻合较好,从而验证了理论分析的正确性.

砷离子注入硅的快速热退火对晶格应力和PN结漏电流的影响

本文首次给出了用Senarmont法测出的As注入层应力和快速热退火后应力变化的实验结果。发现随As注入剂量的增加注入层应力迅速增大。而随退火时间的增加,这种应力明显下降。在相同剂量下注入,靶加热(300℃)注入层应力比室温注入层应力要小得多。电子显微镜观察表明,用很高剂量(>2×10^(16) cm^(-2))注入时,随退火时间的加长注入区出现高密度缺陷,且缺陷密度随退火时间的增加没有明显变化,而高密度缺陷的分布区域明显展宽。四探针测量表明,注入层电阻率随退火时间的增加而下降。当注入剂量为5×10^(15)和1×10^(16) cm^(-2)时,PN结漏电流随退火时间的增加而下降。而当注入剂量为5×10^(16) cm^(-2)时,PN结漏电流随退火时间的增加反而增大。

硅晶片氧化应力的红外光弹性测量及研究

本文利用红外激光光弹性仪,采用光测弹性力学中的Senarmont补偿法,解决了硅晶片小数级条纹值定量测量问题.在考虑硅晶体光弹性效应各向异性的基础上,实测了(111)、(100)单晶硅片的原始应力及氧化应力.对硅晶片原始应力的产生与消除、氧化应力在硅中的分布、氧化应力与氧化层厚度的关系、氧化应力随时间的变化等进行了研究.

硅扩散应力的理论分析

参考热弹性力学中的薄板热应力理论，推导出了硅薄片中扩散应力的表达式；讨论了单面扩散和双面扩散硅片中的应力分布规律，并将理论结果踉光弹实验结果作了比较，发现它们之间有比较好的一致性。

硅单晶应力自动检测系统

介绍了一种利用微型计算机自动采集和处理数据的硅单晶应力检测系统。该系统由红外光源、偏振元件、样品架、红外摄像机、电视监视器、专用I/O 接口以及微型计算机组成。用自己设计的软件对光弹图形进行处理,得到样片中各点的应力分布。

硅晶体中离子注入应力的红外光弹性测量及研究

根据光弹性原理,利用红外光弹性测量系统,采用Senarmont补偿法,对离子注入工艺应力进行了测量。对离子注入工艺应力、退火后应力、应力的分布、应力随剂量和表面浓度的变化进行了研究。

扩散应力的测量及消除

本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双源补偿扩散法掺杂技术消除应力的可行性及工艺条件。

硅晶闸管烧结应力的红外光弹性研究

参考热弹性理论和复合材料层间应力理论，研究了Ｓｉ片／Ａｌ箔／Ｍｏ片烧结后的层间应力及硅片中的应力．热膨胀性能不同引起的热应力在硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样，推导出适用于边缘区域的应力计算表达式．用红外光弹测量获得晶闸管烧结工艺制备样品的应力分布光弹图．理论能较好地解释实验结果．

镓铝铟磷异质结发光材料的设计

利用经验公式来计算能带和晶格常数，并用来进行发光材料异质结构的设计，方法简单，直观，在试制和生产中将会有重要的应用．

磁控溅射Cu膜之Cu/SiO_2/Si结构的应力

采用红外光弹测量法测量用磁控溅射淀积在SiO2 /Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力 .结果表明 :SiO2 在Si衬底中引入张应力 ,而Cu在Si衬底中引入压应力 .在Cu/SiO2 /Si结构中 ,随SiO2 膜厚减小和Cu膜厚增大 ,Si衬底中张应力逐渐减小 ,最终转为压应力 .同时比较、分析了理论估算值和实验结果的差异 。

GaAlInP发光材料计算的经验公式

根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料提出一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。