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Si^+,Mg^+(隐埋)双注入GaAs MESFET
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作者 欧海疆 王渭源 +1 位作者 赵崎华 蒋新元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期309-312,共4页
比较了Si^+ 单注入和Si^+ 、Mg^+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg^+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有源层的影响,容易制成性能优于Si^+单注入的GaAs E-和D-MESFET,并能提高阈值电压V_(tb)均匀性.
关键词 硅离子 镁离子 双注入 GAAS MESFET
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