原位退火处理对ZnS/Si薄膜结晶性能的影响

采用脉冲激光沉积法在Si衬底上生长出厚度为400nm的一系列ZnS薄膜,进行原位退火处理,获得单晶结构的闪锌矿型ZnS薄膜。首次报道了采用原位退火处理后获得单晶ZnS薄膜为立方结构的闪锌矿且薄膜沿(111)晶面择优生长,同时研究了其结晶质量与退火工艺之间的关系。结果显示随着退火温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸由200℃的13.357nm增长到400℃的27.232nm,另外薄膜的平均粗糙度由2.05nm下降达到1.14nm。采用脉冲激光沉积法制备的ZnS薄膜在400℃退火后表现出极好的单晶择优取向生长以及良好的表面平整度,为研究单晶ZnS薄膜提供一种实验解决思路。

一种软X射线荧光吸收谱探测器

以微通道板为光电转换元件,以光子计数法为读出方式设计制作了一种实用的荧光强度探测器,结合北京同步辐射装置4B9B光电子能谱实验站特点,在样品架加载正偏压的方法减少杂散电子对荧光探测信号的影响,有效提高了荧光探测器的信噪比.搭建的软X射线全荧光产额吸收谱探测器有独立的真空系统,可方便与实验站分析腔体对接,也可将探测器安装于其他束线,具备良好的移植性和便捷性.利用该探测设备成功获取了表面覆盖ZnS薄膜材料的SrTiO3晶体TiL边特征吸收谱,与全电子产额模式模式吸收谱相比显示出探测设备对绝缘样品和深层次体相探测的优势.该探测器已在北京同步辐射4B9B光电子能谱实验站使用,拓展了实验站软X射线吸收谱的功能,在表面催化,电极材料,薄膜衬底的研究中,为实验用户增加了一个新的表征手段.