分子束外延碲镉汞探测器的变结面积Ⅰ-Ⅴ测试研究

碲镉汞红外探测器的表面钝化处理对器件暗电流有较大影响,决定了器件的探测性能。为了研究表面钝化层不同生长方式对暗电流的抑制效果,使用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统在Si基衬底上生长碲镉汞材料,分别通过磁控溅射和原位钝化方法生长CdTe/ZnS钝化膜层。采用半导体工艺在碲镉汞材料上制备了变面积光伏探测器。通过测试不同钝化膜层器件的暗电流,分析零偏电阻和面积乘积(R0A)与周长面积之比(p/A)的关系。结果表明,磁控溅射生长钝化层的Si基碲镉汞器件存在较大的隧穿电流,而原位钝化生长钝化层的Si基碲镉汞器件能更有效地抑制表面漏电流。拟合器件R0A因子随PN结面积的变化,得出原位生长钝化层的器件具有更好的钝化效果。变面积器件的制备和测试能够有效且直观地反映器件性能。

对《中国药典》2005年版Ⅰ部栀子中栀子苷含量测定方法的探讨

目的改进栀子药材中栀子苷的含量测定方法。方法比较了《中国药典》2005版栀子药材中栀子苷的含量测定方法和改进方法,用HPLC法测定栀子苷含量,流动相为乙腈-水（15∶85）,检测波长为238 nm。供试品用60%乙醇作为提取溶剂,超声处理,制得供试品溶液。结果改进方法所测定栀子中栀子苷含量高于药典法。栀子苷在0.075~0.60μg/ml范围内线性关系良好,r=0.999 2,平均加样回收率为100.45%,RSD=1.69%。结论该法灵敏、准确、重现性好,可用于栀子药材的质量控制,为改进栀子的含量测定方法提供依据。

栀子药材中京尼平苷含量的薄层-紫外分光光度法测定

目的建立薄层-紫外分光光度(TLC-UV)法测定栀子药材中京尼平苷的含量。方法在25℃测定京尼平苷在最大吸收波长238 nm处的吸光度。结果此法线性范围6.4～38.4μg/ml内,r=0.999 1,平均回收率为97.68%,RSD=2.72%(n=6)。结论用此方法可测定栀子中京尼平苷的含量。方法简便,灵敏和准确,结果可靠。

InAs/GaSbⅡ类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究

分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSbⅡ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件,并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比研究。总结了采用干法工艺和湿法工艺制备双色InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面器件的特点。该研究对InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面器件的研制具有参考意义。

星点设计-效应面法优化栀子的提取工艺

目的以星点设计-效应面法优选栀子的提取工艺。方法以乙醇浓度,回流时间和溶剂量为自变量,以总环烯醚萜苷含量为因变量对自变量各水平进行多元线性回归和二项式拟合,用效应面法选择较佳工艺条件,并进行预测分析。结果确定较优提取工艺为乙醇浓度55%,提取时间60 min,乙醇用量10倍,提取2次,提取率实测值与预测值偏差为-2.65%,二项式拟合复相关系数r=0.982 9。结论星点设计-效应面法优选栀子的提取工艺,方法简便,预测性良好。

栀子环烯醚萜苷鼻用原位凝胶的制备

目的研究栀子环烯醚萜苷鼻用原位凝胶的制备工艺,并对其物理性质进行检测。方法以去乙酰结冷胶为凝胶基质制备栀子环烯醚萜苷鼻用原位凝胶;测定其微观结构、外排水量、黏附力和临界相变阳离子浓度。结果栀子环烯醚萜苷原位凝胶在阳离子浓度达到人工鼻黏液的1/2时即发生相转变,并与人工鼻黏液反应后形成凝胶网络包裹药物。结论栀子环烯醚萜苷原位凝胶能有效黏附于鼻黏膜并延长药物在鼻腔的滞留时间。

深基坑地下连续墙侧向位移分析

通过某深基坑工程的实测数据,系统分析了地连墙的变形规律.分析表明,在深基坑开挖过程中,墙体的侧向位移随着一步开挖深度的增加而增大,且增长的幅度与开挖幅度成正比;基坑拐角处墙体的水平位移较小,但往基坑中部靠近墙体水平位移有增大的趋势,且至基坑中部其值可达最大;基坑开挖过程中,短边墙体受基坑角部空间效应的影响显著,其变形也较小;逆作法施工下,墙体最大位移约出现在基坑开挖深度的一半处,不发生在坑底附近.

栀子环烯醚萜苷四种载药系统体外透膜吸收的比较研究

本研究制备栀子环烯醚萜苷四种载药系统(溶液剂、凝胶剂、脂质体、纳米粒),采用Franz扩散池,选用新鲜猪鼻黏膜为渗透屏障,以栀子苷为测定指标,HPLC方法测定其含量,进行栀子环烯醚萜苷四种载药系统的体外透膜吸收特性考察。结果表明,四种载药体系的累计渗透量对时间呈良好的线性关系,符合一级动力学方程。四种载药系统中,以溶液剂的渗透速率及表观渗透系数最大,其次为凝胶剂,脂质体和纳米粒相当。

缩小步进投影光刻机在碲镉汞红外探测器芯片工艺中的应用

光刻是制备碲镉汞红外探测器芯片过程中非常关键的工艺。目前绝大部分碲镉汞芯片制备都是使用接触式光刻技术,但是在曝光面型起伏较大的芯片时工艺均匀性较差,并且掩膜在与芯片接触时容易损伤芯片。针对接触式光刻的这些缺点,利用尼康公司生产的缩小步进投影光刻机开发了用于碲镉汞芯片的步进式投影曝光工艺。对设备的硬件和软件均进行了小幅修改和设置,使其适用于碲镉汞芯片。经过调试后,缩小步进投影光刻机在某些面型起伏较大的芯片上取得了更好的曝光效果,光刻图形的一致性得到了提升。实验结果表明,缩小步进投影光刻技术能够提高碲镉汞芯片的光刻质量,并在一定程度上改善了芯片制备工艺。

低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究

采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤,影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。首先建立一种损伤评判机制,判断现有工艺刻蚀后材料是否发生反型。然后通过优化光刻胶厚度、变功率分步刻蚀的方式,实现低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀,同时有效解决单次刻蚀深台面时易堆积生成物以及侧壁过于陡峭等工艺问题。台面中心间距为20μm,刻蚀深度超过8μm,缝隙深宽比可达2。基于此台面制备的器件具有明显的双阻抗特征。其中,长波阻抗峰值为100 MΩ,并且I-V曲线中长波侧的平坦区超过100 mV。从电学角度初步判断该器件具有双色探测的能力,验证了本文工艺的可行性。

含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含有Al Ga As插入层的In As量子点,器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值:6.3,10.2和11μm.文中分析了它们的跃迁机制,并且分别进行了指认.因为有源区采用了不对称结构,所以器件在外加偏压正负方向不同时,光电流谱峰值的强度存在一些差异.不论在正偏压或者负偏压下,当偏压达到较高值,再进一步增大偏压时,都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象,这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.

锑化物二类超晶格红外探测器

本文主要展示了近几年来该课题小组在InAs/GaSb二类超晶格红外探测器领域取得的一些研究成果,如在短波波段(1～3μm)、中波波段(3～5μm)、长波波段(8～12μm)、甚长波波段(>14μm)等单色器件的成果,以及双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器方面的成果,如短/中波双色、短波/甚长波双色,长波/甚长波双色红外探测器等单管器件。除此之外,还展示了384×288中波波段InAs/GaSb二类超晶格红外焦平面探测器组件。

基于CC3200的多终端TCP包的无线接收

介绍了基于CC3200的TCP/IP传输应用,通过在CCS中编译调试,实现了以STA模式工作的多对一的基于TCP/IP协议的无线传输,突破了单一的点对点方式的数据传输,更加高效。以CC3200为核心器件,集成度高,可靠性好,方便操作,能够广泛应用于数据采集等领域。

半导体材料中的多光子吸收效应研究进展

一般情况下半导体材料可以吸收一个能量大于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带。但是,在某些特殊的情况下,半导体材料也能吸收多个能量小于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带,这就是多光子吸收效应。多光子吸收效应是一种非线性光学效应。该综述首先介绍了多光子吸收效应的理论基础和测试方法,然后回顾了多光子吸收效应的研究成果,最后展望了半导体低维结构中的多光子吸收效应研究,以及潜在的应用前景。

基于CC3200的大棚温湿度无线控制系统设计（英文）

针对传统大棚测量温湿度运用温度计和湿度计导致测量过程复杂、测量结果不精确以及控制系统操作繁琐的问题,设计了基于CC3200的温室大棚温湿度(temperature and humidity,TH)无线控制系统。该系统以FPGA作为主控制器,通过控制DHT22将温湿度信号发送至CC3200无线模块,进而实现了数据的远距离传输以及对系统的自动控制。

学习邓小平同志的干部队伍建设思想

如何组织和造就一支与新时期的政治任务相适应的干部队伍,是党和国家迫切需要解决的问题。邓小平同志集中全党的集体智慧,提出了干部队伍在革命化的前提下,实现年轻化、知识化、专业化的战略思想,提出了干部队伍建设的具体要求和基本内容,为我们党制定新时期干部队伍建设的方针、政策提供了理论依据。

飞行设备中的新型实时数据传输系统设计

针对飞行设备内部各种传感器的数据传输方式为有线传输现状,无形中加大了布线安排、体积增大、成本增加以及无法实时获取数据和数据质量低等问题,设计一种基于CC3200的WiFi数据传输模块。该模块以FPGA作为主控核心单元,并辅以滤波电路、模/数转换电路,最终通过CC3200将处理好的数字信号数据发送给控制中心。经过试验,测试结果符合具体预定要求并且性能稳定、可靠,没有出现数据丢失的情况,现已成功应用于某航天测试系统中。

基于NIR-AOTF的超声换能器阻抗特性分析及驱动系统设计

从压电超声换能器的阻抗特性出发,在对换能器的输入阻抗及匹配网络进行了深入研究的基础上设计了一种基于高速单片机和直接数字频率合成器(DDS)的NIR-AOTF驱动系统。采用软件查表法将各个频段驱动信号所对应的电压幅值控制字做成表并保存在单片机中,实现了DDS在各个频段的恒功率输出,并采用新型的宽带阻抗变换网络加载在压电换能器,最终在30 MHz^80 MHz带宽范围内匹配网络S21>-0.276 d B,回波损耗S11<-10.173 d B。由于驱动电路提供功率为36 d Bm,实验证明换能器获得功率高于35 d Bm,达到超声换能器实际工作的3 W^4 W功率要求,NIR-AOTF的0级光谱衍射效率最高达73%。