IGBT技术现状及发展趋势

介绍了IGBT的发展历史,重点说明商品化第一代到第五代IGBT的结构和性能,并展望未来IGBT的发展趋势。

利用二极管V_F值与结温的关系评估大功率半导体器件的固晶可靠性

大功率半导体器件的散热性能直接影响其可靠性,功率芯片固晶一般采用焊锡焊接提高散热性能。本文通过测试二极管的伏安特性与结温的关系,重点研究温度对PN结的影响,此影响主要表现为随着温度的升高,二极管的正向导通压降VF会线性减小,利用此特性来评估大功率半导体器件封装工艺中固晶可靠性。

IPM短路测试与短路能力分析

本文说明了IPM产品短路测试的基本方法,针对目前市场上常用的IPM产品进行短路测试并取得短路电流波形,分析了影响IPM产品短路能力的几个因素,结果发现,温度越高IPM产品的短路能力越差;驱动电源电压越大,短路耐量越差;IGBT的MOS沟道宽度越宽,IPM的短路能力越差。