四川种羊资源利用和产业发展现状调查

种子是农业的“芯片”,种业是农业的先导性、基础性核心产业,是保障“米袋子”“菜篮子”的支撑产业。近年来,国家高度重视种业发展工作,2018年四川省委十一届三次全会明确了全省建设“10+3”现代农业产业体系的总体部署,并将现代种业作为三大先导性支撑产业之首。四川是畜牧业大省,饲草料来源丰富,养羊传统悠久,众多的人口和不断提高的居民生活水平为四川省提供了巨大的羊肉市场。“十三五”期间,为打赢脱贫攻坚战,全面建成小康社会,四川以畜牧业为重点突破方向,大力发展畜牧业经济,为四川肉羊产业的发展开拓了良好的市场和政策引导。

金属卟啉及复合催化体系催化氧气氧化对硝基乙苯制备对硝基苯乙酮

在常压、无溶剂条件下,以氧气为氧化剂,研究了金属卟啉及金属卟啉-过渡金属盐复合催化体系对氧化对硝基乙苯制备对硝基苯乙酮的催化作用.发现所有金属卟啉及金属卟啉-过渡金属盐复合催化剂对上述反应均具有催化活性,且催化效果有明显的差别.金属卟啉与过渡金属盐的复合催化体系比单独的金属卟啉催化体系具有更好的效果,且具有明显的协同作用.其中氯化四-(对-甲氧基苯基)锰卟啉-硬脂酸钴复合催化剂的效果最好,可使反应的引发温度从无催化剂(空白)的190℃降低到155℃,对硝基乙苯的转化率从11.3%提高到61.5%,对硝基苯乙酮的选择性从52.5%提高到88.9%,相应的收率也从5.9%提高到54.7%.

Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列

报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。

背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。

CMOS图像传感器发展现状

文章主要介绍了ＣＭＯＳ图像传感器的结构、单元电路、发展背景及其发展现状。

AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究

结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。

高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究

利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。

CMOS有源象素图象传感器

介绍了ＣＭＯＳ图象传感器一般结构、ＣＭＯＳ图象传感器的象元结构和在片模拟信号处理，并介绍了两种典型的ＣＭＯＳ有源象素图象传感器。

双-(α-甲基-4-硝基苄基)过氧化物和双-(α-甲基-4-硝基苄基)醚的合成及表征

以对硝基乙苯为原料,研究了合成标题化合物的方法,并对其进行了结构表征。在合成双-(α-甲基-4-硝基苄基)过氧化物的方法中,使用优选的T(p-OCH3)PPZn作为催化剂,原料的转化率可达16.2%,产物的选择性为44.0%,相应地收率达7.1%。其中以氧气作为氧化剂,使用金属卟啉为催化剂合成对硝基乙苯一步得到双-(α-甲基-4-硝基苄基)过氧化物的方法尚未见文献报道。

四苯基锌卟啉催化氧气对硝基乙苯的表观动力学研究

研究氧气氧化对硝基乙苯反应时,发现双-(α-甲基-4-硝基苄基)过氧化物为关键中间产物,对硝基苯乙酮为主产物。在此基础上建立了四苯基锌卟啉(TPPZn)催化氧气氧化对硝基乙苯的反应模型和速率方程,对其表观动力学行为进行了深入的研究。同时,根据(110—150)℃范围内所测得的实验数据,计算出了相应的反应速率常数,确立了对硝基乙苯氧化生成双-(α-甲基-4-硝基苄基)过氧化物的第一步为零级反应,表观活化能为39.5 kJ/mol。双-(α-甲基-4-硝基苄基)过氧化物分解生成对硝基苯乙酮的第二步反应为1/2级反应,表观活化能为44.6 kJ/mol。对比同一温度下的反应速率常数k1和k2,发现低温时k2和k1基本相等,而高温时k2大于k1。通过比较两步反应的表观活化能和反应速率常数,发现升高反应温度有利于对硝基苯乙酮的生成,且可以提高其生成速率。

5·12汶川地震中电力设施震害情况及其成因分析

根据5.12汶川地区地震灾害的现场考察和资料调研,首先介绍了汶川地震中四川电网的受灾状况,并对电网的地震受灾特点进行了归纳总结;然后,就四川电网的震害原因进行了分析.汶川地震中电力设施震害的主要原因是地震烈度远超出抗震设计烈度,同时,电力设施的特点及其缺陷也是震害严重的原因之一.最后,建议对现有电力设施进行抗震性能普查,新建电力设施需进行抗震设计,进一步提高我国电网的安全可靠性.

日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制

采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。

蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长

在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.

四氯化碳实验室和分析用途相关国际政策和出版物的研究报告

四氯化碳作为ODS(臭氧层消耗物质)之一,必须在全球范围内尽快淘汰。但由于四氯化碳在实验室和分析用途中仍发挥着重要的作用,因此一些必要用途还希望能得到豁免。本报告对有关四氯化碳实验室和分析用途的相关国际政策和出版物进行了详细调研,以便于今后提出豁免申请及制定相关政策。

中波-长波红外双色QWIP探测器设计

双色QWIP是一类重要的第三代红外探测器,但很少有研究报道对其有源区结构以及耦合光栅参数进行系统的计算分析和优化设计。文中基于包络函数近似、传输矩阵模型、经典光学原理等理论对中波-长波红外双色QWIP探测器的多周期有源区以及二维耦合光栅进行了较为详细的优化设计。长波红外(LWIR)有源区采用GaAs/AlGaAs准匹配体系的多量子阱结构,峰值响应波长为8.5μm;中波红外(MWIR)有源区采用InGaAs/GaAs/AlGaAs应变体系的微带超晶格结构,峰值响应波长为4.5μm;子带间跃迁类型均设计为束缚态-准束缚态(B-QB)以降低暗电流,提高探测率。此外,通过折衷优化设计,采用单周期二维光栅以有效实现LWIR与MWIR的双色耦合。上述设计对双色QWIP器件的研制具有较好的实际指导意义。

水溶性meso-四(4-甲氧基-3-磺酸苯基)卟啉及其金属化合物合成新方法研究

采用浓硫酸和少量发烟硫酸在常温下合成了水溶性的四(4-甲氧基-3-磺酸基苯基)卟啉及其铁、钴、铜、锌、锰和镍金属化合物,采用核磁、质谱、紫外和元素分析仪对其结构进行了表征。该方法采用一定比例的浓硫酸和发烟硫酸混合物在常温下与卟啉反应,产物收率均超过98%。替代了文献中所采用的氯磺酸和硅烷氯磺酸酯等稳定性差且易于产生HCl这种酸性气体的磺化剂,不仅降低了成本,免于强腐蚀性的HCl气体生成,还节省了能源,符合节能减排的原则,有利于这些化合物今后的工业化生产和应用。

4-乙基-α-甲基苯甲醇和α,α＇-二甲基-1,4-苯二甲醇的合成

研究了一种以对二乙苯为原料,经四苯基氯化钴卟啉催化氧气氧化、硼氢化钠还原、水解合成标题化合物的新方法,并采用熔点测定、红外及核磁共振对目标产物的结构进行了表征,产品分离总收率较高,分别达57.8%和52.3%,纯度均达到了99.5%。该合成方法反应条件相对温和,简便易行。

p型GaN的渐变δ掺杂研究

采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω.cm。经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴浓度增大了10倍,电阻率减小为原来的1/20。分析认为,渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应,两步退火提高了Mg的激活效率,从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率。实验还发现,经过750℃下15 min的第二次退火后得到的样品的空穴浓度最大,达5.13×1017cm-3。

蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长

结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为37″和712″。详细论述了AlN基板的生长模式、位错行为和应力释放途径。

Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与NiO氧化反应机理决定,Ni层与Au层之间的厚度比率对p型GaN欧姆接触特性的优劣有重要影响,在Ni、Au层厚度相当时可获得最佳的p型欧姆接触。