期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性 被引量:3
1
作者 李金友 王海龙 +4 位作者 杨锦 曹春芳 赵旭熠 于文富 龚谦 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期971-976,共6页
研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ... 研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为2.93~3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15~100 K的电压温度系数为2.56~2.75 mV/K,在100~300 K的电压温度系数为3.91~4.15 mV/K。在100~300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15~100 K相差较大,还需要进一步完善。 展开更多
关键词 量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温 温度电压特性
下载PDF
低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究 被引量:1
2
作者 李金友 王海龙 +3 位作者 杨锦 曹春芳 赵旭熠 龚谦 《通信技术》 2020年第6期1336-1340,共5页
研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电... 研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电流的增加发生红移,在8~10 mA内的光谱漂移为0.39 nm/mA,在10~20 mA内为0.02 nm/mA。在15~65 K范围内光谱随着注入温度的增加发生红移,光谱红移速度为0.316 nm/K。研究结果对GaSb基量子阱激光器的进一步应用具有重要意义。 展开更多
关键词 分子束外延 量子阱 GaSb基 电学特性 功耗 光谱
下载PDF
InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3μm
3
作者 于文富 赵旭熠 +8 位作者 韩实现 杜安天 刘若涛 曹春芳 严进一 杨锦 黄华 王海龙 龚谦 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期80-84,共5页
We report the InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback(LC-DFB)lasers operating at room temperature in the wavelength range of 1.31μm.First-order chromium Bragg gratings were fabricated alongside t... We report the InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback(LC-DFB)lasers operating at room temperature in the wavelength range of 1.31μm.First-order chromium Bragg gratings were fabricated alongside the ridge waveguide to obtain the maximum coupling coefficient with the optical field.Stable continuous-wave single-frequency operation has been achieved with output power above 5 mW/facet and side mode suppression ratio exceeding 52 dB.Moreover,a single chip integrating three LC-DFB lasers was tentatively explored.The three LC-DFB lasers on the chip can operate in single mode at room temperature,covering the wavelength span of 35.6 nm. 展开更多
关键词 INAS quantum dot laterally coupled distributed feedback laser
原文传递
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究 被引量:8
4
作者 汤瑜 曹春芳 +4 位作者 赵旭熠 杨锦 李金友 龚谦 王海龙 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2019年第13期172-176,共5页
报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为... 报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。 展开更多
关键词 激光器 量子阱激光器 法布里-珀罗腔 InGaAs/GaAs/InGaP 单模 边模抑制比
原文传递
2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析 被引量:2
5
作者 杨维凯 王海龙 +4 位作者 曹春芳 严进一 赵旭熠 周长帅 龚谦 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期933-937,共5页
利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,... 利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,在室温连续波工作模式下,测得激光器的内量子效率为61.1%,内部损耗为8.3cm-1,激光输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特性。器件激射波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件,腔长越长,器件工作波长越长,工作波长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。 展开更多
关键词 分子束外延 阈值电流密度 量子阱 激射波长
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部