超高像素密度的白色量子点发光器件

利用LB(Langmuir-Blodgett)转移印刷技术成功制备了分辨率为12 700 ppi的高性能QLED(Quantum Dot Light-emitting Devices,量子点发光二极管)。通过该方法制备的超高分辨率红色QLED器件的EQE为15.27%。此外还成功制备了EQE为4.9%的超高分辨率白色QLED器件。本工作为下一代高分辨率显示器的实现提供了一种思路。

基于不同ZnSe壳层厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点光电性能

磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性,在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注。本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs。当Se粉与Zn(St)_(2)的质量比为1∶15时,InP/ZnSe/ZnS QDs的荧光发射峰为522 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子效率高达86%。同时制备了基于不同ZnSe壳层厚度的QLED,并利用真空蒸发的方式去除QDs薄膜中残留的有机溶剂,避免了高温退火对QDs性能的破坏,最终得到稳定工作QLED器件,其最佳外量子效率为2.2%。