容性耦合CF4/Ar等离子体放电特性研究

容性耦合CF4/Ar等离子体被广泛应用于半导体材料的刻蚀工艺中,本文采用流体力学模型,研究了气体比例对容性耦合CF4/Ar等离子体放电特性的影响。结果表明,随着CF4含量的增加,电子和Ar+离子的密度单调递减,而F-离子密度的变化趋势相反。在Ar含量较高时,电子主要是通过电子与背景气体(特别是Ar)之间的碰撞电离反应产生的,但随着CF4含量增加,F-离子与CF3基团的碰撞电荷分离反应逐渐成为其最主要的产生途径;电子主要通过附着反应生成负离子而损失,因此这也是F-离子最主要的产生机制。当CF4含量较低时,F-离子主要通过其与Ar+离子之间的复合反应损耗;随着CF4含量的增加,F-离子与CF3基团的碰撞反应成为其主要消耗方式。对于中性粒子CF3基团和F原子,它们的密度随CF4含量的增加而增加,但当CF4含量高于50%时,呈现相反的变化趋势,这种非单调的变化是由于两种粒子的主要产生反应的反应物浓度随气体比例的变化导致的。CF3基团和F原子主要是通过电荷转移反应和复合反应来产生和损耗的。

近江牡蛎共附生耐热真菌C051的鉴定、生理学特性及抗菌活性研究

为进一步开发利用耐热海洋真菌,以1株近江牡蛎共附生耐热真菌C051为出发菌株,对其进行系统鉴定、生理学特性及抗菌活性研究。采用形态学鉴定并结合18S rRNA序列分析,确定菌株C051为烟曲霉(Aspergillus fumigatus)。3种培养基比较,适合基础培养基为PDA;生长温度范围为15~50℃,最适生长温度45℃,具有明显的耐热真菌特性;生长pH范围3~9,最适生长pH 6;生长盐浓度0%~16%,最适生长盐浓度3.5%,具兼性海洋真菌的特点。其发酵产物对铜绿假单胞菌(Pseudomons aeruginosa)、金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus)、交替假单胞菌属SL-1(Pseudoalteromonas sp.)、金黄杆菌属SL-4(Chryseobacterium sp.)均有良好的抑菌效果,最大抑菌圈直径达22.15 mm,为耐热海洋真菌的开发与研究提供参考。