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国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(3)
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作者 赵聚晟(译) 郭新军(校) 《中国集成电路》 2014年第1期16-26,共11页
将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难，今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22nm半节距DRAM和16nm半节距闪存选择一种光刻方法，但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩（ArF）浸入光刻技术并不能在40Hm及更小的半节距尺度... 将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难，今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22nm半节距DRAM和16nm半节距闪存选择一种光刻方法，但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩（ArF）浸入光刻技术并不能在40Hm及更小的半节距尺度有多大发展， 展开更多
关键词 半导体技术 路线图 综述 国际 光刻技术 半导体行业 DRAM 小尺寸
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