全球氧化镓产业发展概况及对我国的启示

受新能源汽车、5G通信、光伏和储能等应用需求带动,以及在全球科技博弈加剧的背景下,近年来宽禁带半导体受到全球各国政府与产业界的高度重视和广泛关注,已成为全球经济增长潜力巨大的战略性产业。应该看到,氧化镓相比碳化硅、氮化镓具有更宽的禁带宽度(约4.9eV禁带宽度),以及具有8 MV/cm的理论临界击穿场强,是一种新兴的超宽禁带半导体材料,可用于制备功率器件、微波射频器件以及日盲紫外探测器等半导体器件,在高压电力控制、射频通信和火焰探测等领域具有重大应用价值,已成为国际科技战略必争高地。本文研究了全球氧化镓产业发展现状,剖析了产业发展面临的机遇和挑战,并提出了对我国发展氧化镓产业的几点启示。

溅射靶材在集成电路领域的应用及市场情况

溅射沉积是一种物理气相沉积技术,用于薄膜制备,被广泛应用于集成电路、平板显示、光伏等电子信息产业。尤其是,溅射靶材作为用于溅射沉积的关键材料,在集成电路等领域发挥了重要作用。本文基于溅射靶材在不同领域的应用,介绍了靶材相关加工技术以及靶材性能的影响等内容,阐述了不同溅射靶材在集成电路制造工艺中的不同应用,并介绍了全球半导体靶材市场的整体情况以及全球主要靶材供应商的产品情况。

“一带一路”非洲重点国家工业化特征及合作展望

非洲国家作为“一带一路”沿线的重要合作伙伴,与我国在产业合作领域具有密切联系。围绕非洲重点国家“一国一策”的研究主线,按照区域对国家进行划分,通过探究其宏观经济和产业发展背景、未来几年的工业发展方向和政策等,摸清该国产业发展现状,深度剖析相关产业发展优势和尚存在的不足,明确与我国产业合作的互补需求,进而得出在依托“一带一路”合作平台基础上,我国与非洲重点国家进行产业对接的策略和理论依据。

北京市房山区信息化发展现状探究

信息化代表新的生产力和发展方向,已成为引领创新和驱动转型的先导力量。北京市房山区信息化工作以“智慧房山”顶层设计为指导,加快推进政务服务信息化、经济发展信息化和城乡建设信息化进程。本文总结归纳了房山区信息化建设取得的六方面显著成效。在此基础上,结合信息化发展特征与房山区区情、区貌,深入剖析房山信息化发展的优势与短板,为进一步提升信息化发展水平提供借鉴思考。

全球集成电路技术与产业发展实践与创新发展趋势

【目的】总结美国、日本及韩国等发达国家政府对集成电路产业的创新措施,台积电、英特尔为代表的半导体企业发展经验,以及比利时微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre,IMEC)、中国台湾工业技术研究院和美国电子联合体为代表的技术创新机构发展经验,分析集成电路创新发展趋势,为中国产业发展提供借鉴与参考。【文献范围】基于学术期刊、新闻报道等文献资料,归纳不同国家/地区、不同企业、不同机构集成电路产业发展实践,总结现阶段集成电路技术与产业创新发展趋势。【方法】综合运用文献调研、信息整理、专家研判等多种方法,开展全球集成电路技术与产业发展实践经验的共性归纳和创新发展趋势总结。【结果】美、日、韩三国政府在各自半导体产业成长初期加大政府干预力度,通过政府立法、资金投入、税收减免等形式降低共性技术攻关的组织门槛,促进创新;台积电、英特尔等跨国企业通过降低客户的行业进入壁垒,提升自身资本和技术壁垒,扫清共性技术研发障碍;比利时微电子研究中心(IMEC)、中国台湾工业技术研究院、美国电子联合体等研发机构通过建立合理的工程研发模式,合理分配利益,共担风险,有效提高创新效率。未来集成电路产业技术创新将呈现新材料、新工艺、新架构等多方向发展。【局限】文献信息存在局限性,相关观点仅代表部分学者观点,可能存在一定的片面性。【结论】集成电路产业关键共性技术的组织或工程模式下的组织协调能力、战略判断力和决策力、要素保障能力是创新趋势下我国集成电路产业发力的关键要点。

北京市房山区“十四五”时期信息化发展思路探究

当前,新一代信息技术全域赋能,日益成为引领社会生产新变革、重塑人类生活新格局的先导力量。北京市房山区信息化工作以“智慧房山”顶层设计为指导,加快推进政务服务信息化、经济发展信息化和城乡建设信息化进程。结合信息化发展特征与房山区区情区貌,制定“十四五”时期信息化发展目标,在此基础上,形成抢抓“新基建”机遇、搭建政务云平台、夯实新型消费基础、深化智慧城市治理、打造重点功能园区和构筑安全防护屏障6大发展思路,为未来五年房山区信息化建设提供借鉴思考。

“碳达峰、碳中和”背景下我国电力芯片发展研究

电力行业关乎国计民生,在“碳达峰、碳中和”背景下电力芯片是实现电力系统智能化、网联化、自动化的重要基石。电力调控、企业管理等涉及的相关设备、系统、软件等基本已全部实现国产化,但芯片方面国产化率仍较低。从各环节看,用电环节芯片对外依赖有所缓解,但是电力生产和输/配电环节,核心芯片仍主要依赖进口。建议加强电力芯片技术攻关,突破关键核心技术和产品;加强产用对接,优化国产电力芯片应用生态;加强应用牵引,畅通国产电力芯片替代通道。