-
题名一种提高SRAM写能力的自适应负位线电路设计
- 1
-
-
作者
赵训彤
贺光辉
-
机构
上海交通大学微电子学院
-
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第5期167-170,共4页
-
文摘
随着器件尺寸缩小到纳米级,在SRAM生产过程中,工艺偏差变大会导致SRAM单元写能力变差.针对这一问题,提出了一种新型负位线电路,可以提高SRAM单元的写能力,并通过控制时序和下拉管的栅极电压达到自我调节负位线电压,使负电压被控制在一定范围内.本设计采用TSMC 40nm工艺模型对设计的电路进行仿真验证,结果证明,设计的电路可以改善写能力,使SRAM在电压降到0.66V的时候仍能正常工作,并且和传统设计相比,本电路产生的负电压被控制在一个范围内,有利于提高晶体管的使用寿命,改善良率,节省功耗.
-
关键词
负位线
静态随机存储器(SRAM)
写辅助电路
-
Keywords
negative bit line
static random access memory （SRAM）
write-assist circuit
-
分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
