双极IC接触电阻改善研究

给出了一种解决双极集成电路在生产中欧姆接触偏大的问题,特别是双极集成电路P型接触偏大的问题解决方法。针对双极集成电路在批量生产过程中P型欧姆接触偏大的现象作了分析,并根据所积累的专业经验,在生产工艺过程中安排了过腐蚀、soft-etch,混酸腐蚀硅等专项实验,找到问题的原因和解决方法。通过长时间以及大批量生产实践的检验,这种方法对改善双极集成电路中P型接触电阻非常有效,因此对提高双极集成电路的工艺控制稳定性具有重要意义。

IC外延电阻相似失效案例的比较与分析

该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况。同时也记录不同失效类型,并予以归类。