CMP抛光液和终点检测技术研究

随着集成电路器件集成度的提高,晶圆尺寸和表面布线层数不断增加,特征尺寸不断减小,对晶圆表面的平整度提出了更高要求。作为唯一可以实现全局平坦化的方法,化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing,CMP)成为晶圆制造过程的重要工艺。在各部件和化学品的协同作用下,化学机械抛光质量受到多个因素影响,介绍了抛光液和抛光终点检测(Endpoint detection,EPD)技术的研究新进展,着重阐述了抛光液在磨粒、化学添加剂和绿色环保方面的国内外研究方向,以及终点检测方法的几种新思路,展望了化学机械抛光技术的开发方向。

施工过程数字化管理决策体系应用分析

目前在建筑行业快速发展的进程中不断暴露出一些问题,建筑项目工程施工过程中管理矛盾突出,并且建筑工程质量也受制于多重影响因子,诸如工程进展、决策、执行、施工、措施、工艺、人员以及工期等各个建筑工程环节的影响,造成这些影响的原因主要是由于建筑工程施工过程中缺乏科学有效的管理决策体系,因此决策工作是建筑工程施工中必不可少的重要步骤,良好的建筑工程管理决策工作对于保证施工过程的完整性具有重要意义。

3D NAND存储芯片生产线CMP工艺及设备配置研究

随着5G、物联网、自动驾驶等新型产业的兴起,人类社会将产生海量的信息数据,因而极大促进了存储芯片产业的快速发展。3D NAND作为存储芯片的主流技术,器件结构具有多层垂直堆叠、高深宽比等特点。在其不同技术节点的产品生产加工过程中,设备选型与数量配置对芯片生产线的规划设计具有重要影响。文章从3D NAND中的X-tacking技术出发,分析了化学机械研磨(CMP)工艺及设备配置的相关问题:通过对CMP工艺不同制程特点的分析,确定了其对不同设备的选型配置问题;研究了3D NAND不同技术节点下CMP的制程要求,对比分析得出了其相应的设备数量配置关系。研究对3D NAND项目的设备选型和数量配置提供理论依据和指导,对项目前期设计组线提供支撑。