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题名ESD应力下的NMOSFET模型
被引量:8
- 1
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作者
路香香
姚若河
罗宏伟
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机构
华南理工大学物理科学与技术学院
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
信息产业部电子第五研究所
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期842-847,共6页
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基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目:ESD/EOSTLP分析及模拟软件(5130804108)
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文摘
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。
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关键词
静电保护
NMOSFET
半导体器件
器件模型
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Keywords
ESD
ESD protection
NMOSFET
Semiconductor device
Device model
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性
- 2
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作者
路香香
罗宏伟
姚若河
林志成
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机构
华南理工大学物理科学与技术学院
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
华南师范大学物理与电信工程学院
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期469-472,共4页
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基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目(5130804108)
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文摘
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析。通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n+-n结,继续加大电压会使阳极-阴极间完全热烧毁的结论。
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关键词
ESD应力
扩散电阻
TLP测试
二次击穿
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Keywords
ESD stress
Diffused resistor
TLP test
Secondary breakdown
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名集成电路ESD设计验证技术
被引量:2
- 3
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作者
罗宏伟
肖庆中
路香香
石晓峰
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机构
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期757-760,共4页
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文摘
传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数。
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关键词
集成电路
传输线脉冲测试
ESD加固设计
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Keywords
Integrated circuit
TLP test
ESD robust design
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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