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高纵横比单层MoS_(2)纳米-微米带的可控合成及其在高性能光电晶体管中的应用
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作者 蹇鹏承 谭仕周 +7 位作者 郑志华 刘伟杰 赵永明 许丹 王鹏 戴江南 吴峰 陈长清 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第10期3941-3948,共8页
本文报道了一种快速、可控合成单层MoS_(2)纳米-微米带的方法:通过在蓝宝石衬底上旋涂Na_(2)MoO_(4)和NaOH的混合溶液后一步化学气相沉积硫化的方式进行生长.其中,通过改变NaOH的浓度,对气-液-固生长过程中的反应物液滴流动性进行调控,... 本文报道了一种快速、可控合成单层MoS_(2)纳米-微米带的方法:通过在蓝宝石衬底上旋涂Na_(2)MoO_(4)和NaOH的混合溶液后一步化学气相沉积硫化的方式进行生长.其中,通过改变NaOH的浓度,对气-液-固生长过程中的反应物液滴流动性进行调控,我们实现了对所获得的MoS_(2)的形貌和取向的调控;同时,通过改变生长时间,可以实现对MoS_(2)层数的调控.利用这种方法,我们获得了最窄宽度仅为200 nm,纵横比超过100的单层MoS_(2)纳米-微米带,且表征证明其具有很高的晶体质量.同时,我们还用该MoS_(2)纳米带作为沟道材料,制备了光电晶体管,测试表明其具有高达9×10^(5)的电流开/关比、超过10^(5)的光暗电流比以及高达8.6 A W^(-1)的响应度,展现了其在电子和光电子器件中的应用潜力. 展开更多
关键词 MoS_(2)ribbons controllable synthesis chemical vapor deposition high-performance phototransistors
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