基于隧道结磁阻传感器的电调磁性测试方法

对于薄膜的电场调控磁性测试方法存在仪器设备昂贵,响应速度慢等问题。针对以上问题,提出一种基于隧道结磁阻传感器的电调磁性测试方法。为验证该方法的可行性,分别利用超导量子干涉仪和该测试方法对铁镓硼磁性薄膜样品进行电调磁性测试,结果表明:两种测试方法的结果相同,样品的电调磁行为均为蝶形且电场拐点均为+2,+4,-2,-4 kV/cm。此外,用该方法还可以用于研究不同偏置磁场和电场下的薄膜的磁电耦合特性,而被应用于磁传感器和微波器件等的研发中。所提测试方法具有操作简单、响应速度快、成本低等优点,可大大简化电场调控磁性的测试过程。