温度在四氧化三钴制备中的影响分析

温度在四氧化三钴生产中是一个重要的控制因素,不稳定会导致粉末指标大的波动。采用两种温度工艺合成球形碳酸钴,利用XRD和TEM分析其生长机理,不同温度下呈现不同的优势生长面,高温下为多晶结构,低温单晶,通过SEM看高温碳酸钴表面颗粒呈棒状,低温为细颗粒堆叠。以低温合成的球形碳酸钴为原料,采用高温煅烧方法,制备球形四氧化三钴。系统研究了不同温度和不同升温速率下热性能、粒径、物相的变化。通过这些条件实验揭示了改变温度条件及不同升温速率下碳酸钴的生长规律及其内在分解原理。