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二维稀磁Ising亚铁磁体基态性质 被引量:5
1
作者 辛子华 魏国柱 刘天时 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期213-216,共4页
用有效场理论研究了二维稀磁Ising系统的基态磁性质和基态能量.计算了基态时相变点和补偿点随磁原子浓度的变化情况,得到了基态相图.给出了基态时磁化强度曲线,得到和相图自洽的结果,同时还给出了系统基态能量曲线.
关键词 有效场理论 稀磁Ising系统 亚铁磁体 基态磁性质
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二维稀磁 Ising 亚铁磁体热力学性质
2
作者 辛子华 魏国柱 刘天时 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期439-443,共5页
用相关有效场方法分别计算了具有峰窝点阵和平方点阵的二维稀磁混自旋Ising系统的内能和比热.结果表明在相同稀磁浓度下,具有平方点阵的系统居里温度高于具有蜂窝点阵的系统的居里温度.二者在居里温度点发生的相变皆为二级相变... 用相关有效场方法分别计算了具有峰窝点阵和平方点阵的二维稀磁混自旋Ising系统的内能和比热.结果表明在相同稀磁浓度下,具有平方点阵的系统居里温度高于具有蜂窝点阵的系统的居里温度.二者在居里温度点发生的相变皆为二级相变.平方点阵系统在较大温度范围内呈现亚铁磁性. 展开更多
关键词 稀磁Ising系统 居里温度 亚铁磁体 力学性质
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二维稀磁Ising铁磁体的磁化行为 被引量:2
3
作者 魏国柱 顾永伟 +1 位作者 辛子华 张起 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期606-608,共3页
对处于外磁场中,自旋为1/2的具有二维正方晶格结构的稀磁Ising铁磁体模型,采用相关有效场理论,推导出了不同浓度下系统的磁矩、磁化率的理论公式·对磁化过程中系统主要物理量随温度、浓度等因素变化的情况进行了探讨·对给定... 对处于外磁场中,自旋为1/2的具有二维正方晶格结构的稀磁Ising铁磁体模型,采用相关有效场理论,推导出了不同浓度下系统的磁矩、磁化率的理论公式·对磁化过程中系统主要物理量随温度、浓度等因素变化的情况进行了探讨·对给定的浓度和温度,磁矩随外场强度增大而变大;而对给定的浓度和磁场,磁矩随温度升高而减小·得到了基态时系统的序参量随浓度的变化曲线及该结构在不同浓度下的相图· 展开更多
关键词 相关有效场理论 稀磁lsing模型 磁化行为 正方晶格 相图
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各向异性晶场中横向Ising模型的相图 被引量:2
4
作者 姜伟 魏国柱 辛子华 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期459-461,共3页
用相关有效场理论研究在各向异性晶场中自旋s=3 /2横向Ising模型的磁性质 ,给出该Ising模型的相变公式 ,具体计算了具有配位数为 3的蜂窝点阵的系统相变温度·结果表明各向异性晶场和横向磁场对具有蜂窝点阵的系统的相变温度有很大... 用相关有效场理论研究在各向异性晶场中自旋s=3 /2横向Ising模型的磁性质 ,给出该Ising模型的相变公式 ,具体计算了具有配位数为 3的蜂窝点阵的系统相变温度·结果表明各向异性晶场和横向磁场对具有蜂窝点阵的系统的相变温度有很大影响 ,当横向磁场小于 0 4 57时 ,无论各向异性晶场取值多大 ,转变温度都不会降到零 ,而当横向磁场降为零时 ,转变温度将趋近于常数 0 52 5,另外所有在相变点发生的相变皆为二级相变· 展开更多
关键词 各向异性晶场 横向磁场 相图 横向Ising模型
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低维量子XY模型的键算符平均理论
5
作者 杜安 辛子华 魏国柱 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2001年第4期70-74,共5页
应用键算符表象方法 ,在平均场近似下研究了自旋 1 /2量子 XY模型的基态性质 .模型建立在平面四方晶格上 ,形成纵列 dimer结构 .Dimer内两自旋之间的反铁磁相互作用为 J,dimer之间的反铁磁相互作用在 x方向和 y方向上分别为 J2 和 J1.... 应用键算符表象方法 ,在平均场近似下研究了自旋 1 /2量子 XY模型的基态性质 .模型建立在平面四方晶格上 ,形成纵列 dimer结构 .Dimer内两自旋之间的反铁磁相互作用为 J,dimer之间的反铁磁相互作用在 x方向和 y方向上分别为 J2 和 J1.给出了系统关于 J2 和 J1的无序—有序转变相图 ,计算了无序相下系统的基态能、自旋隙 ,以及 x方向和 y方向上的相干长度 .我们发现自旋隙出现在激发谱中的 ( 0 ,π)点 .一维 XY链 ( J2 =J,J1=0 )具有自旋隙 ,Δ=0 .1 65J,与利用自旋格林函数高阶退耦方法所得结果一致 .要消除这一自旋隙 ,链之间的耦合强度至少为 J1Cr=0 .0 43 J.一维链的相干长度为 3 .51 ,平均单自旋基态能为 -0 .3 2 1 J.一维 XY自旋梯 ( J1=J,J2 =0 )也同样具有自旋隙 ,Δ=0 .1 67J,比 Heisenberg自旋梯的自旋隙 0 .5J小 1,3 .当梯之间的人耦合强度达到 J1Cr=0 .0 61 J时 ,自旋隙消失 .自旋梯的相干长度为 5.97,平均单自旋基态能为 -0 .466J,比 Heisenberg自旋梯的平均单自旋基态能 -0 .578J大 1,3 .当 J2 =J1时 ,系统开始无自旋隙的临界值为 J1Cr=J2 Cr=0 .2 4J,比Heisenberg系统无自旋隙的临界值 0 .63 展开更多
关键词 量子XY模型 自旋隙 键算符平均理论 量子自旋模型 量子效应 激发谱
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一维钻石链反铁磁Ising模型磁化的模拟 被引量:4
6
作者 冯丽雅 辛子华 王吴韬 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2010年第4期613-618,共6页
采用Monte Carlo模拟方法对自旋为1/2的一维钻石链反铁磁Ising系统的磁化行为进行研究.在这个系统中,反铁磁的交换作用和三角结构导致存在自旋阻挫.重点研究不同的反铁磁自旋交换作用对系统磁行为和自旋构型的影响.模拟磁化曲线中M=MS/... 采用Monte Carlo模拟方法对自旋为1/2的一维钻石链反铁磁Ising系统的磁化行为进行研究.在这个系统中,反铁磁的交换作用和三角结构导致存在自旋阻挫.重点研究不同的反铁磁自旋交换作用对系统磁行为和自旋构型的影响.模拟磁化曲线中M=MS/3磁化平台,得到平台宽度随不同的自旋交换相互作用强弱的变化关系,以及出现磁化平台时格点的自旋构型;给出亚稳态存在的条件及亚稳态时的微观构型.研究磁滞回线随温度的变化关系.结果表明,随着温度的升高,磁滞回线逐渐减小,最终消失. 展开更多
关键词 自旋阻挫 MONTECARLO模拟 磁化平台 磁滞回线
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不同本底真空制备的Yb/Al多层膜结构和反射率研究 被引量:2
7
作者 肖两省 齐润泽 +4 位作者 来搏 黄秋实 吴佳莉 余越 辛子华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期271-278,共8页
为研究本底真空对Yb/Al多层膜微结构和光学性能的影响,使用直流磁控溅射设备,在本底真空度分别为4×10^(-5)Pa、8×10^(-5)Pa、1×10^(-4)Pa、2×10^(-4)Pa和4×10^(-4)Pa条件下,制备了一组结构相同的SiC/(Yb/Al)_... 为研究本底真空对Yb/Al多层膜微结构和光学性能的影响,使用直流磁控溅射设备,在本底真空度分别为4×10^(-5)Pa、8×10^(-5)Pa、1×10^(-4)Pa、2×10^(-4)Pa和4×10^(-4)Pa条件下,制备了一组结构相同的SiC/(Yb/Al)_(3)周期多层膜。使用X射线掠入射反射、原子力显微镜及大角X射线衍射等方法表征了样品表面和内部结构,结果表明:当本底真空度从4×10^(-4)Pa提高至4×10^(-5)Pa时,Yb/Al多层膜的平均界面宽度从2.15 nm减小到1.82 nm;表面粗糙度从1.87 nm减小到1.43 nm;膜层内有Yb、Yb2O3和Al结晶,结晶尺寸随真空度略有增加。SiC/(Yb/Al)_(3)周期多层膜为张应力,当本底真空度从4×10^(-4)Pa提升至4×10^(-5)Pa时,应力从85 MPa增大到142 MPa。测试了本底真空度为4×10^(-5)Pa时制备的多层膜样品的反射率,在波长为73.6 nm、入射角为5°时,反射率为31.3%。 展开更多
关键词 紫外辐射 真空沉积 多层膜 反射 磁控溅射
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两端联有铁磁电极的A-B环中的双量子点自旋极化输运(英文) 被引量:1
8
作者 王吴韬 辛子华 陈思伦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期97-101,112,共6页
运用Keldysh格林函数方法,研究了两端联有铁磁电极的A-B环中的双量子点自旋极化输运.研究结果显示,系统的隧穿电流、自旋向上电流、自旋向下电流以及自旋累积明显的受自旋极化强度、外加电压和磁通的影响,并且随着极化强度的增大,在平... 运用Keldysh格林函数方法,研究了两端联有铁磁电极的A-B环中的双量子点自旋极化输运.研究结果显示,系统的隧穿电流、自旋向上电流、自旋向下电流以及自旋累积明显的受自旋极化强度、外加电压和磁通的影响,并且随着极化强度的增大,在平行与反平行组态下的隧穿电流都减小,另外还出现了自旋分流现象.通过改变磁通,能明显地观察到两条通道的干涉现象.反平行组态下的自旋累积会随着极化强度的增大而增大. 展开更多
关键词 铁磁电极 量子点 A-B环
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单原子层角GeC_2-碳锗二炔稳定结构第一性原理研究
9
作者 张翠萍 柳俊先 辛子华 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第3期229-232,共4页
采用第一性原理的密度泛函方法研究了类石墨二炔的碳锗二炔结构及性质,获得了γ-碳锗二炔的几何结构及电子结构,得到其稳定的构型是Ge原子在六角晶格顶点、晶格常数为12.089的单原子层低褶皱蜂窝状结构,为半导体材料,带隙值是0.523 e V.
关键词 γ-石墨二炔 角GeC2-碳锗二炔 局域密度泛函 能带 态密度
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三亚点阵Ising模型相图
10
作者 张翠萍 辛子华 《沈阳师范学院学报(自然科学版)》 2001年第3期34-36,共3页
用平均场理论研究三子格Ising模型的磁性质 。
关键词 三亚点阵 ISING模型 平均理论 相图 磁性质 相变条件公式 磁性材料
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三亚点阵Ising模型磁性质研究
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作者 张翠萍 孙宇秋 辛子华 《丽水师范专科学校学报》 2001年第2期19-20,共2页
用平均场理论研究三子格Ising模型的磁性质 ,给出自发磁化时 ,磁矩随温度的变化关系。
关键词 三亚点阵 三子格Ising模型 平均场理论 自发磁矩 磁性质
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Stress, Roughness and Reflectivity Properties of Sputter-Deposited B4C Coatings for X-Ray Mirrors 被引量:2
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作者 吴佳莉 齐润泽 +3 位作者 黄秋实 冯宇飞 王占山 辛子华 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2019年第12期17-21,共5页
Boron carbide(B4C)coatings have high reflectivity and are widely used as mirrors for free-electron lasers in the x-ray range.However,B4C coatings fabricated by direct-current magnetron sputtering show a strong compres... Boron carbide(B4C)coatings have high reflectivity and are widely used as mirrors for free-electron lasers in the x-ray range.However,B4C coatings fabricated by direct-current magnetron sputtering show a strong compressive stress of about-3 GPa.By changing the argon gas pressure and nitrogen-argon gas mixing ratio,we are able to reduce the intrinsic stress to less than-1 GPa for a 50-nm-thick B4C coating.It is found that the stress in a coating deposited at 10 m Torr is-0.69 GPa,the rms roughness of the coating surface is 0.53 nm,and the coating reflectivity is 88%,which is lower than those of coatings produced at lower working pressures.When the working gas contains 8%nitrogen and 92%argon,the B4 C coating shows not only-1.19 GPa stress but also a low rms roughness of 0.16 nm,and the measured reflectivity is 93%at the wavelength of 0.154 nm. 展开更多
关键词 coating STRESS CARBIDE
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Transport Through a Precessing Spin Coupled to Noncollinearly Polarized Ferromagnetic Leads
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作者 王贤超 辛子华 冯丽雅 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第2期351-354,共4页
量磁性的纺纱联合了到 noncollinearly 极化的铁磁性的领先(F-MS-F ) 的通过按岁差向前运行的电子运输在这篇论文被学习了。nonequilibrium 格林功能途径被用来面对外部偏爱计算状态(LDOS ) 和水流的本地密度。LDOS 和电子水流的人物被... 量磁性的纺纱联合了到 noncollinearly 极化的铁磁性的领先(F-MS-F ) 的通过按岁差向前运行的电子运输在这篇论文被学习了。nonequilibrium 格林功能途径被用来面对外部偏爱计算状态(LDOS ) 和水流的本地密度。LDOS 和电子水流的人物被获得。通道水流为不同按岁差向前运行的角度和领先的磁化的不同配置被调查。当按岁差向前运行的角度拿时,调查揭示那 </2 和否定偏爱被使用,不那样,反响的通道水流出现积极偏爱什么时候被使用,出现。当领先完全被极化,按岁差向前运行的天使拿 0 时,通道水流随着二领先的配置变化;并且当二领先是反平行的时,它成为零。 展开更多
关键词 铁磁耦合 自旋极化 运输 非平衡格林函数 铁磁性耦合 信息 课程 体育
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硼氮掺杂C64-石墨炔材料几何及电子结构第一性原理
14
作者 李晖 辛子华 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期816-823,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对新型碳单原子层平面结构——C64-石墨炔的硼、氮掺杂结构进行研究.当硼原子分别替代C64-石墨炔中碳六元环和四元环上的一个碳原子时,获得稳定的四元环位B掺杂C64-石墨炔结构和六元环位B掺杂... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对新型碳单原子层平面结构——C64-石墨炔的硼、氮掺杂结构进行研究.当硼原子分别替代C64-石墨炔中碳六元环和四元环上的一个碳原子时,获得稳定的四元环位B掺杂C64-石墨炔结构和六元环位B掺杂C64-墨炔结构(简称B4环掺杂结构和B6环掺杂结构).两种结构仍然表现为二维平面结构,晶格常数分别为9.378×10^-10和9.383×10^-10m;当硼和氮原子交替替代C64-石墨炔中四元环和碳链上的碳原子时,得到链位B,N掺杂C64-石墨炔稳定平面结构(简称BN链掺杂结构),晶格常数为9.393×10^-10m.单个硼原子掺杂的B4环掺杂结构和B6环掺杂结构均因掺杂使体系由半导体转变为金属.硼、氮原子交替取代的BN链掺杂结构是带隙为2.56 eV的半导体. 展开更多
关键词 第一性原理 替代掺杂 电子结构
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Spin-dependent tunneling through a spin precession quantum dot
15
作者 张爱芳 辛子华 +2 位作者 宋红岩 吴留坡 施耀铭 《Journal of Shanghai University(English Edition)》 CAS 2008年第1期39-42,共4页
Spin-polarized transport through a precessing magnetic spin coupled to ferromagnetic electrodes is studied using a non-equilibrium Green's function approach. The characteristic of conductance is obtained at zero temp... Spin-polarized transport through a precessing magnetic spin coupled to ferromagnetic electrodes is studied using a non-equilibrium Green's function approach. The characteristic of conductance is obtained at zero temperature. We find that competition between spin-exchange interaction on the spin site and spin-orbit interaction in the barriers dominates the resonant behavior of conductance. In a parallel configuration, conductance peaks have identical amplitude. With the angle θ increasing, the width of resonant peaks is broadened or narrowed for different spin coherent states. In an anti-parallel case, spin-flip tunneling in the barriers will essentially enhance amplitude of the conductance peak. 展开更多
关键词 spin-dependent transport precessing spin ferromagnetic electrodes
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Effective-field and Monte Carlo studies of mixed spin-2 and spin-1/2 Ising diamond chain
16
作者 刘伟杰 辛子华 +1 位作者 陈思伦 张聪艳 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第2期455-459,共5页
The magnetic properties of a mixed spin-2 and spin-1/2 ferromagnetic diamond chain are studied by effective-field theory and Monte Carlo(MC) simulation based on the Ising model.The temperature dependences of magneti... The magnetic properties of a mixed spin-2 and spin-1/2 ferromagnetic diamond chain are studied by effective-field theory and Monte Carlo(MC) simulation based on the Ising model.The temperature dependences of magnetization,magnetic susceptibility,internal energy,and specific heat are studied,respectively.The exchange interaction dependences of magnetization and the critical temperature are calculated by MC simulation.The changes of magnetization depending on the field increasing and then the field decreasing under steady-static conditions are also given. 展开更多
关键词 Ising diamond chain effective-field theory Monte Carlo simulation magnetic property
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碳硅二炔结构及性质分子动力学模拟研究 被引量:2
17
作者 颜笑 辛子华 张娇娇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第23期387-393,共7页
采用基于量子力学的半经验哈密顿量的计算方法,即SCED-LCAO方法,模拟研究了碳硅二炔的稳定性结构、成键特点、电子结构等性质.得出其最稳定的结构是单层平面结构,晶格常数为12.251 A.它通过含有两个Si-C三键的链连接六元环构成.这种平... 采用基于量子力学的半经验哈密顿量的计算方法,即SCED-LCAO方法,模拟研究了碳硅二炔的稳定性结构、成键特点、电子结构等性质.得出其最稳定的结构是单层平面结构,晶格常数为12.251 A.它通过含有两个Si-C三键的链连接六元环构成.这种平面结构在很大高温范围内都可以保持其稳定特性,直到1520 K时,该基本结构才被破坏,且结构中出现四元环.体系温度低于1520 K时,均可通过降温,恢复其零温时的结构.研究还发现这种共轭结构中Si,C原子间存在稳定的sp杂化形式,对分布函数得出其键长为1.58 A左右.高温时sp杂化逐渐转变成其他杂化形式.计算结果表明,在零温下,该电中性系统中存在离域π键,使得系统中的Si-C键长呈现平均化趋势.研究表明,碳硅二炔的能隙为1.416 eV,LUMO,HOMO能级分别是0.386 eV和1.03 eV表明了其n型半导体特性. 展开更多
关键词 碳硅二炔 分子动力学模拟 sp杂化 稳定性
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α-碳锗炔稳定性及性质模拟 被引量:1
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作者 张娇娇 辛子华 +2 位作者 张计划 颜笑 邓密海 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第20期300-305,共6页
采用以量子力学为基础的半经验计算方法—–自洽和环境依赖的原子轨道线性理论,预测了类α-石墨炔的碳锗炔结构.研究了α-碳锗炔的稳定结构、电子结构以及热力学稳定性,得到其最稳定的构型是Ge原子在六元环的六个顶角处,晶格常数为8.686... 采用以量子力学为基础的半经验计算方法—–自洽和环境依赖的原子轨道线性理论,预测了类α-石墨炔的碳锗炔结构.研究了α-碳锗炔的稳定结构、电子结构以及热力学稳定性,得到其最稳定的构型是Ge原子在六元环的六个顶角处,晶格常数为8.686?的六角原胞构成的单层平面蜂窝状结构.该结构是带隙为1.078 e V的半导体.α-碳锗炔在很高的温度下都可以保持稳定,直到2280 K时其长程有序态才被破坏,当体系低于此温度时,可以通过降温使其恢复到零温时的稳定平面结构. 展开更多
关键词 α-石墨炔 α-碳锗炔 分子动力学模拟 热稳定性
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