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莨菪烷基添加剂对FFS模式中残像的影响
1
作者
胡叶廷
周雷勇
+2 位作者
李晓娜
远藤浩史
森崇德
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期504-508,共5页
残像的存在严重影响液晶显示器的画面品质。但由于其发生的机理较复杂,目前还没有较好的解决方案。本文以负性液晶材料为基础,在其中加入新型莨菪烷基添加剂,研究其在FFS模式中对残像的影响。通过闪烁漂移、DC残留电压释放以及棋盘格残...
残像的存在严重影响液晶显示器的画面品质。但由于其发生的机理较复杂,目前还没有较好的解决方案。本文以负性液晶材料为基础,在其中加入新型莨菪烷基添加剂,研究其在FFS模式中对残像的影响。通过闪烁漂移、DC残留电压释放以及棋盘格残像测试,系统分析并讨论了添加剂的使用对负性液晶残像的影响。研究结果表明,加入添加剂后,样品的闪烁漂移得到改善;残留DC偏置积聚量减小30%且释放速度提升了95%;V_(com)漂移由0.7 V改善至0.02 V,V_(com)亮度变化由8 cd/m^(2)降低至2 cd/m^(2);线残像由L3改善至L1。本研究对从液晶材料方面改善残像具有一定的指导意义。
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关键词
边缘场切换广角技术
残像
负性液晶
莨菪烷基添加剂
下载PDF
职称材料
题名
莨菪烷基添加剂对FFS模式中残像的影响
1
作者
胡叶廷
周雷勇
李晓娜
远藤浩史
森崇德
机构
捷恩智液晶材料有限公司
JNC石油化学株式会社
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期504-508,共5页
文摘
残像的存在严重影响液晶显示器的画面品质。但由于其发生的机理较复杂,目前还没有较好的解决方案。本文以负性液晶材料为基础,在其中加入新型莨菪烷基添加剂,研究其在FFS模式中对残像的影响。通过闪烁漂移、DC残留电压释放以及棋盘格残像测试,系统分析并讨论了添加剂的使用对负性液晶残像的影响。研究结果表明,加入添加剂后,样品的闪烁漂移得到改善;残留DC偏置积聚量减小30%且释放速度提升了95%;V_(com)漂移由0.7 V改善至0.02 V,V_(com)亮度变化由8 cd/m^(2)降低至2 cd/m^(2);线残像由L3改善至L1。本研究对从液晶材料方面改善残像具有一定的指导意义。
关键词
边缘场切换广角技术
残像
负性液晶
莨菪烷基添加剂
Keywords
fringe field switching
image sticking
negative liquid crystal
tropane additive
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
莨菪烷基添加剂对FFS模式中残像的影响
胡叶廷
周雷勇
李晓娜
远藤浩史
森崇德
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021
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职称材料
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