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纳米银焊膏双面连接IGBT封装形式的强度 被引量:6
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作者 梅云辉 连娇愿 +3 位作者 徐乾烨 李欣 陈旭 程维姝 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期352-356,共5页
采用无铅化电子封装用芯片连接材料—纳米银焊膏,成功制备了IGBT双面连接试样。芯片剪切实验表明双面连接试样中纳米银烧结焊点的平均剪切强度可达约22 MPa。通过加入银缓冲层后,试样平均剪切强度达到27.5MPa。-40℃^+150℃的热循环老... 采用无铅化电子封装用芯片连接材料—纳米银焊膏,成功制备了IGBT双面连接试样。芯片剪切实验表明双面连接试样中纳米银烧结焊点的平均剪切强度可达约22 MPa。通过加入银缓冲层后,试样平均剪切强度达到27.5MPa。-40℃^+150℃的热循环老化实验表明,添加银缓冲层的双面连接IGBT试样热循环可靠性更高。 展开更多
关键词 双面连接 IGBT 纳米银焊膏 剪切强度 可靠性 温度循环
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