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基于层状WS_(2)调制激光泵浦的光学参量振荡中红外运转特性
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作者 王静 逄金波 +5 位作者 郭鹤泽 胡新宇 周承辰 唐文婧 蒋锴 夏伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期97-106,共10页
光学参量振荡器是重要的中红外相干光源.近年来,在激光调制方面,二维过渡金属硫化物展现了非线性可饱和吸收特性,因此有望成为光学参量振荡器基频激光的优良调制元件.本工作中,首先,实验测量了层状二硫化钨(WS_(2))调制固体激光的输出特... 光学参量振荡器是重要的中红外相干光源.近年来,在激光调制方面,二维过渡金属硫化物展现了非线性可饱和吸收特性,因此有望成为光学参量振荡器基频激光的优良调制元件.本工作中,首先,实验测量了层状二硫化钨(WS_(2))调制固体激光的输出特性.其次,结合主动声光Q开关,实现了主被动双调Q光参量振荡的运转,得到了纳秒脉冲宽度的中红外脉冲,并研究了WS_(2)对光参量转换的优化特性,发现WS_(2)纳米片除了能够压缩脉冲、提高峰值功率外,还能缓解单主动调Q光学参量振荡器中的"输出饱和下降"现象,这种现象可能起因于砷酸钛氧钾(KTiOAsO_(4),KTA)的制冷不均匀.WS_(2)的可饱和吸收效应能够显著压缩光斑,减少高斯光斑的边缘能量,因此能够缓解KTA的温度梯度分布,从而优化输出特性.最后,基于WS_(2)的非线性透过率曲线,考虑非均匀展宽机制和大信号下的非饱和吸收,计算了WS_(2)的可饱和吸收特性参数,并求解了层状WS_(2)调制光学参量振荡器的速率方程组.本文在实验上展示了二维过渡金属硫化物对激光非线性频率变换的优化效果,尤其是对热效应的缓解;同时,为二维材料调制激光的动力学模拟提供了参数依据. 展开更多
关键词 层状过渡金属硫化物 中红外光学参量振荡器 动力学方程 可饱和吸收截面
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发展中的泊里教育事业
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作者 管洪波 逄金波 《师范教育》 1991年第6期28-29,共2页
泊里镇是胶南县西南部一个拥有68个行政村、五万多人口的平原古镇。是“燎原计划”先进示范乡镇。党的十一届三中全会以来,该镇的教育事业在改革中得到了迅速的发展。他们在抓好普通教育的同时,大力发展成人教育和职业教育。目前,全镇... 泊里镇是胶南县西南部一个拥有68个行政村、五万多人口的平原古镇。是“燎原计划”先进示范乡镇。党的十一届三中全会以来,该镇的教育事业在改革中得到了迅速的发展。他们在抓好普通教育的同时,大力发展成人教育和职业教育。目前,全镇不仅设有初级职业中学和中心农民技术学校,还有六十五所村办农民文化技术夜校,定点中小学三十二所,办学率达100%,初步形成了一个普通教育、职业教育和成人教育协调发展的新格局。全镇中考连续两年居县前列;现在技术人才达15,520人;1989年被青岛市政府评为“教育先进乡镇”、“成人教育先进单位”,并荣获国家教委颁发的“ 展开更多
关键词 成人教育 职业教育 教育事业 普通教育 协调发展 大力发展 初步形成 燎原计划 十一届三中全会 新格局
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低维半导体材料生长的精确调控及电子元器件制造关键技术
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作者 刘宏 逄金波 《科技成果管理与研究》 2024年第2期70-72,共3页
国家“十四五”规划强调,加强原创性引领性科技攻关,深入实施制造强国战略,加快壮大新一代信息技术、新材料等战略性新兴产业。芯片和传感器作为“函待攻克的核心技术”(《科技日报》),事关国家战略安全。后摩尔时代,硅基集成电路尺寸... 国家“十四五”规划强调,加强原创性引领性科技攻关,深入实施制造强国战略,加快壮大新一代信息技术、新材料等战略性新兴产业。芯片和传感器作为“函待攻克的核心技术”(《科技日报》),事关国家战略安全。后摩尔时代,硅基集成电路尺寸缩微问题限制了更高集成度。低维半导体材料多层堆叠可实现器件异质异构集成,能突破尺寸缩微限制,用于制造集成电路芯片与通用传感器,助力新一代信息产业升级。 展开更多
关键词 战略性新兴产业 《科技日报》 集成电路芯片 国家战略安全 异构集成 电子元器件 新一代信息技术 科技攻关
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聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善 被引量:1
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作者 姜伟龙 何青 +6 位作者 刘玮 于涛 刘芳芳 逄金波 李凤岩 李长健 孙云 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1657-1659,共3页
为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有... 为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se2(CIGS) 聚酰亚胺(PI) Na掺入 附着性
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