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低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响 被引量:1
1
作者 邓加军 赵建华 +4 位作者 蒋春萍 牛智川 杨富华 吴晓光 郑厚植 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期42-44,共3页
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn... 利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K. 展开更多
关键词 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延
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二维MoS2/MoO2混合层结构的制备与表征
2
作者 邓加军 叶晨骁 +3 位作者 黄燕峰 车剑韬 王文杰 丁迅雷 《凝聚态物理学进展》 2019年第2期33-40,共8页
近年来,半导体性的二维过渡金属硫族化合物(2D-TMDCs)由于其在半导体工业上的潜在应用而备受青睐。本文利用化学气相沉积法(CVD),以MoO3粉末和S粉为前驱体,制备出了六边形和四边形的MoS2/MoO2混合层结构。我们首先利用光学显微镜(OM)和... 近年来,半导体性的二维过渡金属硫族化合物(2D-TMDCs)由于其在半导体工业上的潜在应用而备受青睐。本文利用化学气相沉积法(CVD),以MoO3粉末和S粉为前驱体,制备出了六边形和四边形的MoS2/MoO2混合层结构。我们首先利用光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)观测了样品,然后通过X射线光电子谱(XPS)和能量色散谱(EDS)测试对样品的成分进行了初步判定,最后通过Raman光谱确定了我们制备的样品就是MoS2/MoO2混合层结构。同时,我们通过对比实验,对混合层结构的生长机理进行了探究。 展开更多
关键词 二维材料 化学气相沉积法 MoS2/MoO2混合层结构
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稀磁半导体的研究进展 被引量:35
3
作者 赵建华 邓加军 郑厚植 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2007年第2期109-150,共42页
本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的... 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。 展开更多
关键词 半导体自旋电子学 稀磁半导体 异质结构 自旋注入
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GaMnAs的Raman光谱研究 被引量:2
4
作者 马宝珊 王文杰 +6 位作者 苏付海 邓加军 蒋春萍 刘海林 丁琨 赵建华 李国华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期207-212,共6页
报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的增加,CPLP模的拉曼频率红移,通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度.... 报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的增加,CPLP模的拉曼频率红移,通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度.发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加.测量了不同温度下GaM-nAs合金的拉曼光谱.证实合金中空穴浓度随温度的增加而增加. 展开更多
关键词 GAMNAS 拉曼光谱 等离激元与声子耦合模 空穴浓度
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基于霍尔效应的惯性测振实验的研究与应用设计 被引量:2
5
作者 徐雅惠 周林 +1 位作者 李欣蔚 邓加军 《物理实验》 2015年第7期35-40,共6页
利用霍尔元件在线性磁场中的霍尔电压与磁感应强度的线性关系,推导得出振动物体振幅与霍尔电压之间的函数关系.设计满足该线性关系的磁场并通过实验得出其线性表达式,进而设计出基于霍尔效应的惯性式振动传感器,最后通过实验验证该传感... 利用霍尔元件在线性磁场中的霍尔电压与磁感应强度的线性关系,推导得出振动物体振幅与霍尔电压之间的函数关系.设计满足该线性关系的磁场并通过实验得出其线性表达式,进而设计出基于霍尔效应的惯性式振动传感器,最后通过实验验证该传感器的实用性. 展开更多
关键词 霍尔效应 线性磁场 惯性式振动传感器
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GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究 被引量:1
6
作者 李国华 马宝珊 +5 位作者 王文杰 苏付海 丁琨 赵建华 邓加军 蒋春萍 《光散射学报》 2006年第2期106-114,共9页
理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从... 理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2.6%到9%的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合,得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。 展开更多
关键词 GaMnAs合金 等离子体激元-LO声子耦合模 稀磁半导体 拉曼光谱
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瓣形均匀带电面和均匀带电体在其球心处的电场 被引量:3
7
作者 胡冰 邓加军 +1 位作者 李社强 王文杰 《物理与工程》 2016年第2期72-74,共3页
在大学物理课程电磁学部分的教学中,经常会利用高斯定理研究均匀带电球面、均匀带电球体等电荷分布具有高度对称性的带电体的电场分布.对于这些均匀带电球面、均匀带电球体的一部分,比如瓣形均匀带电面和瓣形均匀带电体,利用高斯定理不... 在大学物理课程电磁学部分的教学中,经常会利用高斯定理研究均匀带电球面、均匀带电球体等电荷分布具有高度对称性的带电体的电场分布.对于这些均匀带电球面、均匀带电球体的一部分,比如瓣形均匀带电面和瓣形均匀带电体,利用高斯定理不能求出其电场分布,但是可以利用点电荷的电场强度公式加电场叠加原理的方法研究在一些特殊位置的电场.本文推导出了瓣形均匀带电面和瓣形均匀带电体在特殊点球心处的电场,并且进一步讨论了均匀带电半球面、球面、半球体和球体在球心处的电场. 展开更多
关键词 瓣形均匀带电面 瓣形均匀带电体 电场 电场叠加原理
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工科为主型大学物理实验教学改革探索 被引量:3
8
作者 胡冰 邓加军 +2 位作者 王文杰 李社强 陈雷 《大学物理实验》 2015年第6期117-120,共4页
物理实验作为物理教学的重要内容,对学生能力的培养具有非常重要的作用。针对华北电力大学物理实验教学的具体情况,提出了以下改革措施。开创了分层次教学的"四阶段"教学模式,相应地开设四门课程;完善物理演示实验室和开设物... 物理实验作为物理教学的重要内容,对学生能力的培养具有非常重要的作用。针对华北电力大学物理实验教学的具体情况,提出了以下改革措施。开创了分层次教学的"四阶段"教学模式,相应地开设四门课程;完善物理演示实验室和开设物理演示实验课。 展开更多
关键词 物理实验 教学改革 研究性实验 演示实验
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二硫化钼的制备与结构表征 被引量:2
9
作者 黄燕峰 车剑韬 邓加军 《湖南城市学院学报(自然科学版)》 CAS 2015年第2期59-60,共2页
近年来,具有类石墨烯结构的二维材料过渡金属二硫化物(TMD)由于其优异的光学、电学等方面的性质被广泛关注。本文介绍了这类材料中典型代表二硫化钼(Mos_2),着重阐述了它的几种常见制备方法及分析其结构的表征方法,提出衬度光谱学为目... 近年来,具有类石墨烯结构的二维材料过渡金属二硫化物(TMD)由于其优异的光学、电学等方面的性质被广泛关注。本文介绍了这类材料中典型代表二硫化钼(Mos_2),着重阐述了它的几种常见制备方法及分析其结构的表征方法,提出衬度光谱学为目前相对高效且不破坏样品结构的表征分析法,最后简述了其应用并展望了其发展趋势和所面临的挑战。 展开更多
关键词 二维材料 二硫化钼 制备 表征
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化学气相沉积法控制合成单层MoSe_2薄膜 被引量:1
10
作者 王鑫 王文杰 +4 位作者 邓加军 叶晨骁 王雅雅 车剑韬 丁迅雷 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2018年第18期2082-2086,共5页
为了寻找最优化的实验条件得到大面积且高晶体质量的二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2DTMDCs)薄膜材料,选择用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法,通过不断优化实验参量,制备出... 为了寻找最优化的实验条件得到大面积且高晶体质量的二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2DTMDCs)薄膜材料,选择用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法,通过不断优化实验参量,制备出了单层MoSe_2薄膜,并利用Raman光谱及光致发光光谱对样品的层数和带隙宽度进行表征。通过大量实验发现,在用CVD法制备单层MoSe_2薄膜时,实验的初始压强及衬底与前驱体的距离会影响样品的生长。于是通过对比实验,探究了起始压强及衬底与前驱体的距离对单层MoSe_2薄膜生长的影响。得到了最优化的压强及衬底与前驱体的距离。 展开更多
关键词 凝聚态物理学 二维材料 单层MoSe2 化学气相沉积法 生长参数
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闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
11
作者 毕京锋 赵建华 +3 位作者 邓加军 郑玉宏 王玮竹 李树深 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期204-207,共4页
利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层... 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用. 展开更多
关键词 半金属 室温铁磁性 分子束外延
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Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
12
作者 郑玉宏 赵建华 +3 位作者 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期211-214,共4页
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.
关键词 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延
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二维MoSe2连续薄膜的化学气相沉积制备和退火研究
13
作者 石晓静 邓加军 +5 位作者 申媛媛 王文杰 卢芳超 高杰 李若楠 丁迅雷 《材料科学》 CAS 2021年第12期1234-1243,共10页
作为二维材料家族的典型代表,二维过渡金属硫族化合物在过去的十年受到了人们的广泛关注。二维MoSe2是二维过渡金属硫化物中的重要一员,凭借其优异的电学和光学特性在多个领域中展现出巨大的应用潜力。本文采用化学气相沉积(chemical va... 作为二维材料家族的典型代表,二维过渡金属硫族化合物在过去的十年受到了人们的广泛关注。二维MoSe2是二维过渡金属硫化物中的重要一员,凭借其优异的电学和光学特性在多个领域中展现出巨大的应用潜力。本文采用化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)法,通过不断优化实验参量,在同一衬底不同位置制备出了不同形状的MoSe2薄膜,其中部分区域生长出大面积的MoSe2双层连续薄膜,尺寸达到毫米级。CVD方法生长的MoSe2薄膜不可避免地存在许多缺陷,这严重影响了其电学和光学性能。本文我们对MoSe2连续薄膜进行了不同气氛和不同温度下的退火研究,实验表明在合适温度下退火可以有效提高CVD生长MoSe2薄膜的晶体质量和光学性能。同时对基于MoSe2双层连续薄膜的场效应管进行了退火前后电学特性研究,发现适当退火可以有效地提高器件的开关比和场效应迁移率。 展开更多
关键词 MoSe2薄膜 拉曼光谱 光致发光光谱 退火
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Growth and Magnetic Properties of Zincblende CrSb Epilayers on Relaxed and Strained (In, Ga)As Buffers
14
作者 邓加军 赵建华 +5 位作者 毕京峰 郑玉宏 贾全杰 牛智川 吴晓光 郑厚植 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第2期493-496,共4页
Zincblende CrSb (zb-CrSb) layers with room-temperature ferromagnetism have been grown on relaxed and strained (In,Ga)As buffer layers epitaxially prepared on (001) GaAs substrates by molecular-beam epitaxy. The ... Zincblende CrSb (zb-CrSb) layers with room-temperature ferromagnetism have been grown on relaxed and strained (In,Ga)As buffer layers epitaxially prepared on (001) GaAs substrates by molecular-beam epitaxy. The structural characterizations of CrSb layers fabricated under the two cases are studied by using synchrotron grazing incidence x-ray diffraction (GID). The results of GID experiments indicate that no sign of second phase exists in all the zb-CrSb layers. Superconducting quantum interference device measurements demonstrate that the thickness of zb-CrSb layers grown on both relaxed and strained (In,Ga)As buffer layers can be increased to ~12 monolayers (~3.6nm), compared to ,~3 monolayers (~1 nm) on GaAs directly. 展开更多
关键词 ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM MOLECULAR-BEAM EPITAXY MULTILAYER CRAS
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Thickness-modulated in-plane Bi2O2Se homojunctions for ultrafast high-performance photodetectors 被引量:3
15
作者 洪成允 黄刚锋 +2 位作者 要文文 邓加军 刘小龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第12期363-369,共7页
Bi2O2Se thin film could be one of the promising material candidates for the next-generation electronic and optoelectronic applications. However, the performance of Bi2O2Se thin film-based device is not fully explored ... Bi2O2Se thin film could be one of the promising material candidates for the next-generation electronic and optoelectronic applications. However, the performance of Bi2O2Se thin film-based device is not fully explored in the photodetecting area. Considering the fact that the electrical properties such as carrier mobility, work function, and energy band structure of Bi2O2Se are thickness-dependent, the in-plane Bi2O2Se homojunctions consisting of layers with different thicknesses are successfully synthesized by the chemical vapor deposition(CVD) method across the terraces on the mica substrates,where terraces are created in the mica surface layer peeling off process. In this way, effective internal electrical fields are built up along the Bi2O2Se homojunctions, exhibiting diode-like rectification behavior with an on/off ratio of 102, what is more, thus obtained photodetectors possess highly sensitive and ultrafast features, with a maximum photoresponsivity of 2.5 A/W and a lifetime of 4.8 μs. Comparing with the Bi2O2Se uniform thin films, the photo-electric conversion efficiency is greatly improved for the in-plane homojunctions. 展开更多
关键词 Bi2O2Se in-plane homojunction thickness modulation PHOTODETECTORS
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Effect of Annealing on Structural and Magnetic Properties of a Thick (Ga,Mn)As Layer
16
作者 邓加军 赵建华 +5 位作者 蒋春萍 张焱 牛智川 杨富华 吴晓光 郑厚植 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第2期466-468,共3页
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Anomalous Pressure Behavior of N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005
17
作者 王文杰 邓加军 +2 位作者 付星球 胡冰 丁琨 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2009年第12期202-205,共4页
GaAs0.973Sb0.022N0.005 的光致发光在不同温度和压力被调查。合金乐队边和 N 相关的排出物,显示出不同温度和压力依赖,被观察。在压力获得的压力系数变化为乐队边和 N 相关的排出物的 01.4 GPa 是 67 并且 45meV/GPa 分别地。N 相关... GaAs0.973Sb0.022N0.005 的光致发光在不同温度和压力被调查。合金乐队边和 N 相关的排出物,显示出不同温度和压力依赖,被观察。在压力获得的压力系数变化为乐队边和 N 相关的排出物的 01.4 GPa 是 67 并且 45meV/GPa 分别地。N 相关的排出物在更低的压力范围变到一个更高的精力然后在大约 8.5 GPa 开始到 redshift。这 redshift 被 N 相关的状态的 X 山谷部件的增加可能与增加压力引起。 展开更多
关键词 异常压力 排放量 氮行为 集群 压力范围 光致发光 压力效应 压力系数
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Electro-oxidation of Formic Acid on Carbon Supported Edge-Truncated Cubic Platinum Nanoparticles Catalysts
18
作者 李社强 付星球 +2 位作者 胡冰 邓加军 陈雷 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期144-147,共4页
The oxidation of formic acid on edge-truncated cubic platinum nanoparticles/C catalysts is investigated. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicates that the surface of edge-truncated cubic platinum nanopartic... The oxidation of formic acid on edge-truncated cubic platinum nanoparticles/C catalysts is investigated. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicates that the surface of edge-truncated cubic platinum nanoparticles is composed of two types of coordination sites. '/'he oxidation behavior of formic acid on edge-truncated cubic platinum nanoparticles/C is investigated using cyclic voltammetry. The apparent activation energies are found to be 54.2, 55.0, 61.8, 69.5, 71.9, 69.26, 65.28k J/tool at 0.15, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.65, 0.7V, respectively. A specific surface area activity of 1.76 mA·cm^-2 at 0.4 V indicates that the edge-truncated cubic Platinum nanoparticles are a promising anode catalyst for direct formic acid fuel cells. 展开更多
关键词 Chinese climate network complex systems small world community
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Growth parameter dependence of magnetic property of CrAs thin film
19
作者 毕京锋 赵建华 +5 位作者 邓加军 郑玉宏 王玮竹 鲁军 姬扬 李树深 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第12期3868-3872,共5页
This paper has systematically investigated the substrate temperature and thickness dependence of surface morphology and magnetic property of CrAs compound films grown on GaAs by molecular-beam epitaxy. It finds that t... This paper has systematically investigated the substrate temperature and thickness dependence of surface morphology and magnetic property of CrAs compound films grown on GaAs by molecular-beam epitaxy. It finds that the substrate temperature affects the surface morphology and magnetic property of CrAs thin film more potently than the thickness. 展开更多
关键词 magnetic films zinc-blende CrAs room-temperature ferromagnetism molecular-beam epitaxy
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层数变化对堆叠生长的MoS_(2(1-x))Se_(2x)电子结构的影响
20
作者 王文杰 康智林 +4 位作者 宋茜 王鑫 邓加军 丁迅雷 车剑滔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第24期83-91,共9页
二维过渡金属硫化物因其独特的光电特性在多功能光电器件方面具有广泛的应用前景.为了进一步拓展其在微纳光电子器件方面的应用范围,并提高器件性能,人们开展了通过合金手段改变端组分材料配比实现对二维半导体材料带隙调控的带隙工程... 二维过渡金属硫化物因其独特的光电特性在多功能光电器件方面具有广泛的应用前景.为了进一步拓展其在微纳光电子器件方面的应用范围,并提高器件性能,人们开展了通过合金手段改变端组分材料配比实现对二维半导体材料带隙调控的带隙工程以及调控生长条件改变材料形貌和结构的缺陷工程研究.本文利用光学、原子力和扫描电子显微镜等设备以及拉曼和光致发光光谱等手段对由化学气相沉积法生长出来的堆叠状MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的性质进行了研究.不同于大多数单层或少层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的情况,堆叠生长的阶梯状MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金材料在厚度从2.2 nm (约3层)一直增加到5.6 nm (约7层)时都显出了较强的发光特性,甚至在100 nm厚时,样品的发光谱线仍具有两个发光峰.两个激子发光峰分别来源于自旋轨道耦合造成的价带劈裂.随着厚度的增加,两个峰都逐渐红移,显示了合金掺杂时的能带弯曲效应.拉曼光谱给出了类MoS_2和类MoSe_2两套振动模.随着厚度的增加,拉曼峰位几乎不移动,但面内的两个振动模E_(2g(Mo-Se))和E_(2g(Mo-s))逐渐显现并增强.显然缺陷和应力是影响堆叠生长MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金样品电子结构的主要因素,这为特殊功能器件的制备和可控缺陷工程的研究提供了有益的参考. 展开更多
关键词 化学气相沉积法 MoS2(1-x)Se2x合金 堆叠生长 电子结构
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