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Cu-In-Se组分的相图研究综述
被引量:
1
1
作者
方亚林
言智
+1 位作者
王莹
邓卫之
《上海工程技术大学学报》
CAS
2014年第3期235-240,共6页
CuInSe2是目前报道的光吸收性能最好的材料之一,其在光伏行业的应用前景十分光明.探讨了Cu-In、In-Se、Cu-Se相图以及Cu-In-Se三元相图的研究成果,归纳了Cu、In、Se各组分之间形成的相及其相平衡关系,同时分析了各相的组成和晶体结构....
CuInSe2是目前报道的光吸收性能最好的材料之一,其在光伏行业的应用前景十分光明.探讨了Cu-In、In-Se、Cu-Se相图以及Cu-In-Se三元相图的研究成果,归纳了Cu、In、Se各组分之间形成的相及其相平衡关系,同时分析了各相的组成和晶体结构.通过对Cu-In-Se的相图研究,可为CuInSe2材料制备的生产工艺提供有价值的参考.
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关键词
Cu-In-Se相图
组分
晶体结构
相平衡
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职称材料
Al掺杂量对Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜性能的影响
2
作者
邓卫之
言智
+2 位作者
邓沛然
王莹
方亚林
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1732-1736,共5页
使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu(In1-xAlx)S2薄膜,研究Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明:随着Al掺杂量的增加,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移,同时晶...
使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu(In1-xAlx)S2薄膜,研究Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明:随着Al掺杂量的增加,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移,同时晶粒尺寸变小。CuInS2的原位变温XRD结果显示CuInS2在低于873K时可以稳定存在,当温度达到873K时CuInS2则开始分解为In2S3和Cu2S。AFM的测试结果展示薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低。紫外分光光度计的测试结果呈现Cu(In1-xAlx)S2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加。Al/(Al+In)的量在0-0.5变化时,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的禁带宽度的相应变化为1.56~2.24eV。
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关键词
Cu(In1-xAlx)S2薄膜
黄铜矿结构
Al掺杂量
原位变温XRD
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职称材料
题名
Cu-In-Se组分的相图研究综述
被引量:
1
1
作者
方亚林
言智
王莹
邓卫之
机构
上海工程技术大学材料工程学院
出处
《上海工程技术大学学报》
CAS
2014年第3期235-240,共6页
文摘
CuInSe2是目前报道的光吸收性能最好的材料之一,其在光伏行业的应用前景十分光明.探讨了Cu-In、In-Se、Cu-Se相图以及Cu-In-Se三元相图的研究成果,归纳了Cu、In、Se各组分之间形成的相及其相平衡关系,同时分析了各相的组成和晶体结构.通过对Cu-In-Se的相图研究,可为CuInSe2材料制备的生产工艺提供有价值的参考.
关键词
Cu-In-Se相图
组分
晶体结构
相平衡
Keywords
Cu- In- Se phase diagram
component
crystal structure
phase equilibrium
分类号
TK519 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
Al掺杂量对Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜性能的影响
2
作者
邓卫之
言智
邓沛然
王莹
方亚林
机构
上海工程技术大学材料工程学院
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1732-1736,共5页
基金
上海工程技术大学研究生创新课题(13KY0505)
文摘
使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu(In1-xAlx)S2薄膜,研究Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明:随着Al掺杂量的增加,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移,同时晶粒尺寸变小。CuInS2的原位变温XRD结果显示CuInS2在低于873K时可以稳定存在,当温度达到873K时CuInS2则开始分解为In2S3和Cu2S。AFM的测试结果展示薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低。紫外分光光度计的测试结果呈现Cu(In1-xAlx)S2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加。Al/(Al+In)的量在0-0.5变化时,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的禁带宽度的相应变化为1.56~2.24eV。
关键词
Cu(In1-xAlx)S2薄膜
黄铜矿结构
Al掺杂量
原位变温XRD
Keywords
Cu(In1-xAlx)S2 thin films
chalcopyrite compound
A1 doped concentrations
in-situ XRD
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu-In-Se组分的相图研究综述
方亚林
言智
王莹
邓卫之
《上海工程技术大学学报》
CAS
2014
1
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职称材料
2
Al掺杂量对Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜性能的影响
邓卫之
言智
邓沛然
王莹
方亚林
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
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