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一种便携式高g值冲击试验装置的设计 被引量:10
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作者 王超 陈光焱 邓开举 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2010年第12期227-229,共3页
为对惯性开关进行大于8 000 g的冲击检测,设计一种便携式冲击试验装置。根据弹性力学的赫兹理论,对该冲击试验装置进行了动力学分析,采用四阶龙格-库塔(Runge-Kutta)算法求解得到了结构参数与冲击特性的关系。采用Endevco2270标准传感... 为对惯性开关进行大于8 000 g的冲击检测,设计一种便携式冲击试验装置。根据弹性力学的赫兹理论,对该冲击试验装置进行了动力学分析,采用四阶龙格-库塔(Runge-Kutta)算法求解得到了结构参数与冲击特性的关系。采用Endevco2270标准传感器进行标定,标定结果满足设计要求,即该冲击试验装置可产生最大幅值约8 400 g,脉宽约110μs的冲击加速度信号,在同一高度测试的相对误差小于6%,具有良好的输出稳定性。该冲击试验装置体积小,质量轻,便于携带,维护简单,安全可靠,可用于小尺寸惯性器件冲击检测及抗冲击实验等。 展开更多
关键词 冲击试验装置 高G值 赫兹理论 便携式
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偏心Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长S-L界面形状的数值模拟 被引量:2
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作者 王培林 邓开举 +1 位作者 张国艳 周士仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期16-20,共5页
用三维数值模拟方法研究了偏心Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统S-L界面附近的温度分布.考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜S-L界面的影响情况.结果表明,偏心温度场可提高晶... 用三维数值模拟方法研究了偏心Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统S-L界面附近的温度分布.考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜S-L界面的影响情况.结果表明,偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性.ψ=0。 展开更多
关键词 晶体生长 BRIDGMAN法 HGCDTE S-L界面
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