期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
一种便携式高g值冲击试验装置的设计
被引量:
10
1
作者
王超
陈光焱
邓开举
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2010年第12期227-229,共3页
为对惯性开关进行大于8 000 g的冲击检测,设计一种便携式冲击试验装置。根据弹性力学的赫兹理论,对该冲击试验装置进行了动力学分析,采用四阶龙格-库塔(Runge-Kutta)算法求解得到了结构参数与冲击特性的关系。采用Endevco2270标准传感...
为对惯性开关进行大于8 000 g的冲击检测,设计一种便携式冲击试验装置。根据弹性力学的赫兹理论,对该冲击试验装置进行了动力学分析,采用四阶龙格-库塔(Runge-Kutta)算法求解得到了结构参数与冲击特性的关系。采用Endevco2270标准传感器进行标定,标定结果满足设计要求,即该冲击试验装置可产生最大幅值约8 400 g,脉宽约110μs的冲击加速度信号,在同一高度测试的相对误差小于6%,具有良好的输出稳定性。该冲击试验装置体积小,质量轻,便于携带,维护简单,安全可靠,可用于小尺寸惯性器件冲击检测及抗冲击实验等。
展开更多
关键词
冲击试验装置
高G值
赫兹理论
便携式
下载PDF
职称材料
偏心Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长S-L界面形状的数值模拟
被引量:
2
2
作者
王培林
邓开举
+1 位作者
张国艳
周士仁
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期16-20,共5页
用三维数值模拟方法研究了偏心Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统S-L界面附近的温度分布.考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜S-L界面的影响情况.结果表明,偏心温度场可提高晶...
用三维数值模拟方法研究了偏心Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统S-L界面附近的温度分布.考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜S-L界面的影响情况.结果表明,偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性.ψ=0。
展开更多
关键词
晶体生长
BRIDGMAN法
HGCDTE
S-L界面
下载PDF
职称材料
题名
一种便携式高g值冲击试验装置的设计
被引量:
10
1
作者
王超
陈光焱
邓开举
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2010年第12期227-229,共3页
文摘
为对惯性开关进行大于8 000 g的冲击检测,设计一种便携式冲击试验装置。根据弹性力学的赫兹理论,对该冲击试验装置进行了动力学分析,采用四阶龙格-库塔(Runge-Kutta)算法求解得到了结构参数与冲击特性的关系。采用Endevco2270标准传感器进行标定,标定结果满足设计要求,即该冲击试验装置可产生最大幅值约8 400 g,脉宽约110μs的冲击加速度信号,在同一高度测试的相对误差小于6%,具有良好的输出稳定性。该冲击试验装置体积小,质量轻,便于携带,维护简单,安全可靠,可用于小尺寸惯性器件冲击检测及抗冲击实验等。
关键词
冲击试验装置
高G值
赫兹理论
便携式
Keywords
impactor
high-g
Hertz theory
portable type
分类号
TH871.3 [机械工程—精密仪器及机械]
U666.16 [交通运输工程—船舶及航道工程]
下载PDF
职称材料
题名
偏心Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长S-L界面形状的数值模拟
被引量:
2
2
作者
王培林
邓开举
张国艳
周士仁
机构
哈尔滨工业大学控制工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期16-20,共5页
文摘
用三维数值模拟方法研究了偏心Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统S-L界面附近的温度分布.考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜S-L界面的影响情况.结果表明,偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性.ψ=0。
关键词
晶体生长
BRIDGMAN法
HGCDTE
S-L界面
Keywords
Cadmium compounds
Computer simulation
Interfaces (materials)
Intermetallics
Mercury compounds
Semiconductor materials
分类号
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种便携式高g值冲击试验装置的设计
王超
陈光焱
邓开举
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2010
10
下载PDF
职称材料
2
偏心Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长S-L界面形状的数值模拟
王培林
邓开举
张国艳
周士仁
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部