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粉浆挤压细长铂管脱蜡完好率的研究
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作者 邓朝权 李增峰 +1 位作者 孙杏nan 铮埻踔荆未焊? 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 1996年第5期49-51,共3页
研究了钼粉含氧量和石蜡添加量对粉浆挤压细长钼管脱蜡预结完好率的影响。结果表明,钼粉含氧量在0.28%-0.8%范围内和石蜡添加量为50.6Vol%~55.7Vol%时,钼管脱蜡完好率最高。
关键词 粉浆挤压 脱蜡 完好率 钼管 粉末冶金
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氢化钕铁硼永磁材料的磁性能 被引量:5
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作者 石永金 邓朝权 刘康美 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期42-46,共5页
主要论述用氢化法制备的钕铁硼永磁材料的磁性能与氢化温度、脱氢温度、氢化时间以及脱氢时间之间的关系。钕铁硼合金用真空中频感应炉熔制。合金经过均匀化热处理。合金的氢化和氢化物的脱氢在真空/氢气氛炉中进行。实验结果表明,在... 主要论述用氢化法制备的钕铁硼永磁材料的磁性能与氢化温度、脱氢温度、氢化时间以及脱氢时间之间的关系。钕铁硼合金用真空中频感应炉熔制。合金经过均匀化热处理。合金的氢化和氢化物的脱氢在真空/氢气氛炉中进行。实验结果表明,在温度770℃下氢化2h,然后,在温度730℃下脱氢到氢气压强小于10-2Pa,制备的永磁材料具有比较好的微结构和优异的磁性能。 展开更多
关键词 钕铁硼 永磁材料 磁性能 氢化 脱氢
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钕铁硼合金的氢化歧化物的脱氢再合成新磁材的微观组织和磁性能 被引量:1
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作者 石永金 周济 +1 位作者 邓朝权 刘康美 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期171-174,共4页
研究了Nd Fe B合金的氢化 歧化物的脱氢过程的特点 ,通过对原料合金、氢化 歧化物和脱氢合成材料的微观结构、X射线衍射图和磁性能的对比研究 ,建立了Nd Fe B氢化 歧化物脱氢再合成Nd Fe B型硬磁材料的机理。
关键词 氢化/歧化物 微观组织 磁性能 Nd2Fe14B型合金 脱氢重合成 永磁材料
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二氧化硅碳还原法制取Si_3N_4粉的研究 被引量:1
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作者 李应泉 廖际常 +3 位作者 邓朝权 王志 宣林杰 张仁岐 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 1994年第1期40-49,共10页
报导了用二氧化硅碳还原氮化法制取高性能Si3N4粉的研究结果。研究了氮化温度、氮化时间、氮气流量等工艺因素对氮化产物的颜色、颗粒形状、粒度和粒度分布以及相结构的影响;分析了非晶态、SiO2、SiC产物的形成条件。结果... 报导了用二氧化硅碳还原氮化法制取高性能Si3N4粉的研究结果。研究了氮化温度、氮化时间、氮气流量等工艺因素对氮化产物的颜色、颗粒形状、粒度和粒度分布以及相结构的影响;分析了非晶态、SiO2、SiC产物的形成条件。结果表明:氮化工艺因素对氨化产物的性能有明显的影响,采用1450℃氮化温度,氮化时间2h,N2流量2.5L/min的工艺条件,能制得高α相比例,颗粒微细和粒度分布均匀的优质Si3N4粉。 展开更多
关键词 二氧化硅 碳还原 氮化 氮化硅粉
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退火温度对掺杂W-Re丝组织和性能的影响
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作者 李应泉 张清 邓朝权 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期36-40,共5页
研究了退火温度对3种含Re量不同的掺杂W-Re丝组织和性能的影响。结果表明:退火温度改变了掺杂W-Re丝的抗拉强度、延伸率、电阻率、弯折性能及晶粒组织。3种含Re量不同的掺杂W-Re丝的抗拉强度随退火温度的提高而降低... 研究了退火温度对3种含Re量不同的掺杂W-Re丝组织和性能的影响。结果表明:退火温度改变了掺杂W-Re丝的抗拉强度、延伸率、电阻率、弯折性能及晶粒组织。3种含Re量不同的掺杂W-Re丝的抗拉强度随退火温度的提高而降低;在相同退火温度下含Re量提高,强度越大。当退火温度升至1600℃时,3种掺杂W-Re丝的延伸率达到最高值,随着退火温度继续升高,延伸率明显下降。W-Re丝电阻率随退火温度提高和Re含量增加呈线性增加。掺杂W加入少量Re后,再结晶温度被提高且再结晶温度随Re含量增加而降低。掺杂W-3Re丝的再结晶组织形貌与非掺杂W-3Re丝是不同的。非掺杂W-3Re丝的组织形貌类似于纯W。 展开更多
关键词 退火温度 掺杂W-Re丝 钨合金 粉末冶金
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还原氮化法制取Si_3N_4粉末相的研究 被引量:2
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作者 刘学辉 廖际常 +4 位作者 张仁岐 李应泉 邓朝权 王志 宣林杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 1990年第1期11-16,共6页
本文介绍了用碳还原二氧化硅氮化法制取高质量Si_3N_4粉末的工艺过程,讨论了加热温度、反应时间、氮气流速和反应物浓度及添加剂对所获得的Si_3N_4粉末相的影响。结果表明,过量的碳能有效地控制SiO的挥发,提高氮化速度和氮化率。添加剂... 本文介绍了用碳还原二氧化硅氮化法制取高质量Si_3N_4粉末的工艺过程,讨论了加热温度、反应时间、氮气流速和反应物浓度及添加剂对所获得的Si_3N_4粉末相的影响。结果表明,过量的碳能有效地控制SiO的挥发,提高氮化速度和氮化率。添加剂可以有效地限制β-Si_3N_4相的生成。一定的温度是反应进行的保证,足够的时间是充分反应的条件,氮气流速是氮化的前提。如果严格控制这些工艺条件和影响因素,就可以获得高α相含量的Si_3N_4粉末。 展开更多
关键词 氮化硅 粉末 还原氮化法 制取
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