Cd(S,Se)薄膜的结构及退火环境对其电导性能的影响

分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合.

玻璃基底上Cd(S,Se)膜结构的一维特征

半导体材料CdS,CdSe薄膜因其优良的光电特性和广泛的应用前景,一直受到人们的重视.目前,许多研究组已对该膜的制备方法,结构与性能进行了比较细致的研究.Ray等对用常规真空蒸发方法制备的CdS薄膜进行了研究,发现随着膜厚度从13600A减少到1200A,膜的电阻由0.15变到3.7Ω 膜的透射率为80—90%,作者认为CdS膜具有六方结构,在(002)方向具有高度择优取向.Chuu等曾对用脉冲激光蒸发(PLE)和热蒸发(TE)