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聚结晶紫薄膜修饰电极的制备条件研究 被引量:6
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作者 周谷珍 孙元喜 邓欢梅 《湖南文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2003年第4期25-28,共4页
详细研究了结晶紫 (CV)在玻碳基体电极表面聚合成膜的条件 ,从而得到利用循环伏安法制备聚结晶紫薄膜修饰电极 (PCVE)的最佳条件 :在 0 .0 5mol/LKH2 PO4-Na2 HPO4(pH =6 .8) + 0 .2mol/LNaNO3 + 2 .0× 10 -4mol/LCV的最佳聚合体系... 详细研究了结晶紫 (CV)在玻碳基体电极表面聚合成膜的条件 ,从而得到利用循环伏安法制备聚结晶紫薄膜修饰电极 (PCVE)的最佳条件 :在 0 .0 5mol/LKH2 PO4-Na2 HPO4(pH =6 .8) + 0 .2mol/LNaNO3 + 2 .0× 10 -4mol/LCV的最佳聚合体系中 ,以 5 0mV/s的扫描速率 ,控制扫描电位范围为- 1.2~ 1.8V ,循环扫描 2 0圈即可制得聚结晶紫薄膜修饰电极 .该修饰电极具有良好的重现性和稳定性 ,并对邻苯二酚、多巴胺等具有良好的电催化作用 。 展开更多
关键词 聚结晶紫薄膜 修饰电极 制备条件 循环伏安法
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