一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源

根据带隙基准电压源理论，在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上，采用曲率补偿技术，对一阶温度补偿电路进行高阶补偿，获得了一种结构简单，电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源。该电路采用CSMC0．5μm标准CMOS工艺实现，用Spectre进行仿真。结果表明，在3．3V电源电压下，在-30℃～125℃范围内，温度系数为3．2×10^-6／℃；在27℃下，10Hz时电源抑制比（PSRR）高达118dB，1kHz时（PSRR）达至086dB。

高性能CMOS集成电压比较器设计

比较器可以比较一个模拟信号和参考信号,并且输出比较得到的二进制信号。为了设计一个高速度、高精度的比较器,采用预放大锁存比较电路结构,并加以改进。在Cadence环境下基于CSMC 0.5μm CMOS工艺完成比较器的电路设计、版图设计和版图验证。仿真得到比较器的增益为85.588 4 dB,带宽为60.546 7 MHz,上升延时为5.723 74 ns,下降延时为5.429 17 ns,输入失调电压为640.17μV。它适用于高速A/D等领域的应用。

适用于高阶∑△调制器的全差分运算放大器的设计

比较了增益自举式共源共栅、折叠式共源共栅和套筒式A/A类三种常用的运算放大器结构,提出了一种可用于各种高阶∑△调制器的全差分运算放大器。采用SIMC0.35μm标准CMOS工艺,完成了含共模反馈电路的全差分套筒式运算跨导放大器的设计。仿真结果表明放大器的直流增益为84.5dB,单位增益带宽为199MHz,相位裕度为51°,电路工作可靠,性能优良。