会泽县苹果园桔小实蝇发生流行调查及防控措施

桔小实蝇自2019年在会泽县首次发生以来,已成为会泽县水果种植的头号病虫害。文章结合会泽县苹果种植生产的实际,经过2年的调查,从桔小实蝇危害症状识别、发生规律及防控措施等方面进行阐述,为会泽县苹果种植生产中桔小实蝇防控提供参考。

退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响

采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火,通过对样品的晶体结构、透射率、表面形貌和光学带隙等性质进行测试分析,发现退火工艺可以提升薄膜的结晶质量,但同时高温退火也容易使得薄膜中的氧元素逸出薄膜外形成氧空位,选取800℃退火后样品制备成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型光电探测器件,并与未退火样品器件对比发现在1.1 V的反向偏压下,800℃的光暗电流比为1021.3、响应度为0.106 A/W、比探测率为1.61×10^(12)Jones,分别是未退火器件的7.5,195和38.3倍,外量子效率相较于未退火样品提升了51.6%,上升时间(0.19/0.48 s)相较于未退火样品(0.93/0.93 s)减小,下降时间(0.64/0.72 s)与未退火样品(0.45/0.49 s)相比有所增大,表明氧空位的增加可以减缓光生载流子的复合来达到延长载流子寿命的效果,最后详细分析了退火后氧空位的增多导致探测器性能参数提高的机理.

马铃薯块茎蛾田间防治

1马铃薯块茎蛾马铃薯块茎蛾又称烟草潜叶蛾(Phthorimaea operculella),起源于中美洲和南美洲北部地区,现已分布在亚洲、欧洲、北美洲、非洲等100多个国家,是茄科作物世界性农业害虫,对马铃薯有毁灭性为害。南方马铃薯产区尤其在云南、四川、贵州等地为害极为严重。马铃薯块茎蛾主要是两性生殖,少数孤雌生殖,其幼虫钻蛀叶片和薯块为害[1]。属鳞翅目,麦蛾科昆虫,蛾体长8~10 mm,翅展14~16 mm,雌成虫体长5~6.2 mm,雄成虫体长5~5.6 mm。蛾体灰褐色,稍带银灰光泽[2]。主要为害茄科植物,其中以马铃薯、烟草、茄子等受害最重。幼虫潜叶蛀食叶肉,严重时嫩茎和叶芽常被害枯死,幼株甚至直接被害而亡。田间和贮藏期间幼虫蛀食马铃薯块茎,蛀成弯曲隧道,甚至吃空整个薯块,外表皱缩并引起腐烂,严重影响马铃薯食、饲、种用价值和商品性。

会泽县马铃薯晚疫病药剂防治效果试验

为进一步验证6种杀菌剂对马铃薯晚疫病的防治效果,于2023年7—9月在曲靖市会泽县驾车乡开展了6种药剂防治马铃薯晚疫病的田间试验。试验结果表明,增威赢绿(10%氟噻唑吡乙酮+80%代森锰锌)防效最好,末次药后10 d和30 d防效分别为83.1%和81.11%,表现出良好的速效性和持效性;其次是薯达康(3%丁子香酚+25%烯酰吗啉),末次药后10 d和30 d防效分别为78.02%和77.14%,也表现出较好速效性和持效性,此2种药剂可在会泽县马铃薯种植区大面积推广使用。

GeSn光电薄膜及其研究进展

GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破。对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展进行了详细地介绍。着重对GeSn在光伏电池和热光伏电池的研究进行了分析,并对其在光伏和热光伏领域的发展进行了展望,希望未来能为高效叠层太阳电池的研究提供新思路和新方法。

真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析

红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。

宽带隙立方氮化硼薄膜制备

报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼 ( c- BN)薄膜的实验结果 .研究了衬底负偏压对制备c- BN薄膜的影响 .c- BN薄膜沉积在 p型 Si( 10 0 )衬底上 ,溅射靶为六角氮化硼 ( h- BN) ,工作气体为 Ar气和 N2 气混合而成 ,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识 .结果表明 ,在射频功率和衬底温度一定时 ,衬底负偏压是影响 c-BN薄膜生长的重要参数 .在衬底负偏压为 - 2 0 0 V时得到了立方相含量在 90 %以上的 c- BN薄膜 .还给出了薄膜中的立方相含量随衬底负偏压的变化 ,并对 c-

立方氮化硼薄膜表面的XPS研究

研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比1:1;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比1:1较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm.

氮化硼薄膜的红外光谱研究

用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气+氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮化硼薄膜有很大影响,在氮气比例为20%时得到理想的六角氮化硼薄膜。

工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响

用射频溅射法将立方氮化硼（C-BN）薄膜沉积在p型Si（100）衬底上,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c-BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压.工作气压等于或高于2.00Pa时,立方相不能形成;工作气压为 0.67Pa时,得到了立方相体积分数为92％的立方氮化硼薄膜.

氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂

通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.

工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响

本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验结果.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N2气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10-3乇时,得到了立方相含量在90%以上的立方氮化硼薄膜.

电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究

用电子束蒸发法制备氮化硼薄膜,分别研究束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量的影响,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量都有影响,经过900℃氮气保护退火后,都得到了高立方相含量的氮化硼薄膜。

并五苯场效应管的电学特性

介绍了用高真空中热蒸发镀膜的方法制备并五苯薄膜场效应晶体管.作为场效应管半导体层的并五苯薄膜沉积在p型Si(100)(14.0～20.0 Ω·cm)衬底上.场效应管中并五苯薄膜厚度为70nm,源极、漏极和栅极(Au)的厚度均为50nm,绝缘层SiO2的厚度为300nm,沟道宽度为190μm,沟道长度为15μm.用AFM表征了并五苯薄膜表面形貌,并研究了薄膜生长速率对并五苯场效应晶体管电学特性的影响.在薄膜生长速率为0.24和1.36 nm/min时,场效应管的载流子迁移率分别为2.7×10-4和2.2×10-6 cm2/(V·s).

会泽县农作物病虫害绿色防控实践与思考

近年来,会泽县贯彻“预防为主、综合防治”的植保方针,坚持“绿色兴农、质量兴农、品牌强农”的发展理念,着力抓好“六个结合”,扎实推进绿色防控技术推广应用,取得显著的经济、社会和生态效益。针对面临的技术集成配套程度不成熟、绿色防控推广难度较大、重治轻防等问题,从提升绿色防控技术的先进性、推广覆盖面、社会参与度和培训力度等4个方面提出了建议。

直流反应磁控溅射法制备太阳电池用ITO透明导电膜

采用直流反应磁控溅射法制备了ITO透明导电薄膜,针对氧流量、溅射气压、溅射电流3种工艺参数对ITO薄膜电阻率和可见光区透射率的影响进行了分析和研究。结果表明:从ITO薄膜作为太阳电池用减反射层和电极出发,得到了工艺参数的优化值,分别为氧流量0.2 ml/min(标准状态),溅射气压3 Pa和溅射电流0.2 A,ITO薄膜的电阻率为3.7×10-3Ω.cm,透过率(550 nm)高达93.3%。另外,利用该优化工艺条件下制备的ITO薄膜作为电极和减反射层,制备了结构为ITO/n+-nc-Si∶H/-i nc-Si:H/p-c-Si/Ag的太阳能电池,电池开路电压Voc达到534.7mV,短路电流Isc达到49.24mA(3 cm2),填充因子为0.4228。

立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究

本文应用RF溅射法,在n型Si（100）衬底上制备BN薄膜。首次用离子注入工艺,将铍（Be）离子注入到BN薄膜中使之成为p-型。我们用范德堡方法对该薄膜进行了室温下的霍尔效应测量,薄膜为p型导电,电阻率为10^-3Ω.cm左右,迁移率14-28 cm^2/V.S,载流子浓度10^19-10^20cm^-3,霍尔系数10^-1cm^-3/C左右,用此法制备的p-BN/n-BN异质结,有明显的整流特性。

Ti-Ta吸气丝的SIMS分析

本文给出两种Ti-Ta吸气丝的SIMS分析,比较其结果,对其吸气性能的差异予以讨论,指出其中一种Ti-Ta吸气丝吸气性能差的原因。

PASCO实验平台的设计性应用思路及其尝试

本文利用PASCO平台的传感器及数据采集设备对传统单缝衍射实验设备进行改造,使单缝衍射的光强分布等不易观察的物理量得到感官表现,并能通过软件进行定量分析,具有良好的实验教学效果。

基于虚拟仪器技术的PN结温度传感特性测试系统

利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪、USB-6009数据采集卡和LabVIEW平台,建立了基于虚拟仪器技术的新型PN结温度特性测试系统。测量了不同工作电流下PN结的正向压降随温度的变化关系,获得硅材料的禁带宽度,并分析了工作电流对PN结温度特性的影响。该实验方法、数据采集与计算机技术良好结合,弥补了手工测量带来的误差。