长波碲镉汞材料的低温退火

本文分析和讨论了碲镉汞材料退火的微观机制和退火条件，根据分析的结果对加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长的长波碲镉汞材料进行了低温退火实验，取得了满意的结果。对于０．７ｍｍ厚的样品，１９０～２２０℃下汞饱和等温退火５０～６０天可获得电学性能优良的ｎ型材料。７７Ｋ下载流子浓度ｎ＜５×１０１４ｃｍ－３，载流子迁移率μ＞１×１０５ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，少子寿命τ＞１μｓ。

溶质扩散法在三元晶体生长中之应用

本文对溶质扩散法在三元晶体生长中的应用进行了综述。并着重介绍了Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体生长取得的最新实验结果和理论上的处理，指出该理论模型以及生产高Ｘ值的Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体的实验仍处于初始阶段。