超快激光纳米连接及其在微纳器件制造中的应用

纳米连接涉及纳-纳、纳-微-宏跨尺度的材料连接,其在微纳电子元器件及其系统、微纳光机电系统等互连封装制造和研发中起到越来越重要的作用。目前已研发了系列纳米连接工艺方法,但在高操控性能量输入、多材料选择、低损伤互连等方面均有各自的局限性。超快激光具有峰值功率密度极高、多材料适用、加工热影响区极小等显著优势,进而基于超快激光制造的纳米连接是一个重要的发展方向。以本团队及合作者的研究为主,阐述了纳米尺度材料超快激光连接的局域能量调控和异质连接界面冶金与能带修饰、基于超快激光纳米颗粒薄膜沉积的低温连接新技术,以及基于超快激光纳米连接的新型微纳器件的制造与应用。同时,指出了超快激光纳米连接所面临的挑战和发展趋势,为未来纳米连接的研究和应用提供参考。

脉冲激光沉积高性能薄膜制备及其应用研究进展

随着脉冲激光器的飞速发展和成本下降,利用脉冲激光沉积制备高性能薄膜逐渐成为近年来的一个研究热点,被广泛应用于多个领域。本文首先概述了脉冲激光沉积的基本原理和特点;然后从材料体系的角度系统地综述了近年来脉冲激光沉积高性能薄膜的研究现状,详细地介绍了脉冲激光沉积制备的金属薄膜、合金薄膜、碳薄膜、化合物薄膜以及复合薄膜的工艺、结构、形貌和性能特点,继而对薄膜沉积技术在光电、新能源、生物、超导、电子封装等重点和新兴领域的应用现状进行介绍;最后对脉冲激光技术制备高性能薄膜进行了总结和展望。

Ag-Pd纳米合金低温连接及其抗电化学迁移性能

纳米银焊膏能够实现低温连接、高温服役,同时具有优异的导电、导热性能,其缺点是非常容易发生电化学迁移。本文采用脉冲激光沉积成功制备了完全互溶的Ag-10%Pd纳米合金,并将其用于SiC芯片的封装互连,旨在提高纳米颗粒烧结层的抗电化学迁移能力,同时保持纳米颗粒的低温烧结特性。研究表明,采用Ag-10%Pd纳米合金烧结连接SiC芯片及镀银的直接覆铜基板(DBC),在250℃的温度下可以实现剪切强度为21.89 MPa的接头,达到了美国军标MIL-STD-883K的要求(7.8 MPa)。Ag-Pd纳米合金抗电化学迁移能力是同等条件下纯银的4.3倍。在Ag-Pd纳米合金中,银离子的析出受到PdO的阻碍,迁移产物呈云雾状分布,有效延长了电极的短路时间。脉冲激光沉积Ag-Pd纳米合金的烧结避免了传统银、钯颗粒直接混合方法后续高达850℃的合金化过程。Ag-Pd纳米合金作为封装互连材料是实现低温连接的有效保证,并有望为功率电子器件的高可靠性封装提供解决方案。

纳米颗粒材料作中间层的烧结连接及其封装应用研究进展

随着第三代功率半导体器件的发展,以SiC为代表的宽禁带半导体芯片在大功率电力电子器件中扮演了越来越重要的角色。然而与传统Si芯片匹配的封装材料难以满足其高温服役的要求,成为功率电子器件应用的短板。纳米颗粒材料作中间层用于电子封装能够实现低温连接、高温服役,是目前封装材料的研究热点。本文综述了当前纳米颗粒材料作中间层的存在形式,重点分析单质纳米颗粒烧结连接的优势、影响因素以及局限性,系统阐述了复合纳米颗粒烧结连接的最新进展以及发展趋势,旨在促进纳米颗粒材料作中间层在电子封装中的应用。