存在气泡缺陷触头盒电场仿真研究

利用有限元分析软件Ansys建立三维模型,对高压开关柜母线室中触头盒存在气泡缺陷的情况进行仿真计算,研究了在交流情况下气泡缺陷、不同大小的气泡、不同位置的气泡以及不同电压等级对触头盒气泡缺陷附近电场的影响。结果表明:缺陷的出现使缺陷中电位在气泡上半部分集中;缺陷附近的电场强度出现明显的畸变,缺陷中心电场强度变大;缺陷越大,电场畸变越大;缺陷的位置对电场的畸变并没有太大的影响;电压等级的提高使缺陷中电场的畸变更加明显。