不同形貌的钨酸铋纳米材料的制备及其光催化性能

利用水热法通过调节溶液pH值和表面活性剂CTAB浓度制备了不同结构与形貌的钨酸铋纳米材料,用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)等测试方法对产物进行了结构与形貌的表征,并研究了不同结构与形貌的钨酸铋样品对甲基橙的可见光催化降解性能。结果表明,在低pH值时样品为Bi2WO6相纳米片,随着pH值的增加,样品中出现了Bi3.84W0.16O6.24相八面体纳米颗粒,高pH值时,样品则为纯Bi3.84W0.16O6.24相八面体颗粒。随着表面活性剂浓度的增加,Bi2WO6纳米片有自组装的趋势,最终形成花瓣状结构。光催化甲基橙实验结果表明不同形貌的钨酸铋样品对甲基橙有不同的催化降解活性,片状Bi2WO6相纳米片高于Bi3.84W0.16O6.24相八面体颗粒。

高介电性能的陶瓷-聚合物复合材料的研究现状

在材料研究领域中,具有电学性能的陶瓷/聚合物复合材料是一种新型的复合材料,其中具有高介电性能的陶瓷/聚合物0-3复合材料以其广泛的应用前景已经引起人们极大的关注。文中介绍了具有高介电性能的陶瓷/聚合物复合材料的介电理论模型及其制备方法,概述了国内外的研究现状及应用,并且对未来的发展趋势做了展望。

表面活性剂控制金属醇盐水解制备纳米TiO_2粉体

为了在用钛盐进行水解制备TiO2时控制水解速度以尽量减少团聚，提出利用表面活性剂的分散和包覆作用来制备纳米级TiO2．以钛酸四丁酯(Ti(OBu)4)为原料，在其乙醇溶液中加入表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(DBS)，然后滴加到沸水中进行水解制备纳米级TiO2粉体．用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和热分析技术(TG-DTA)对样品的晶粒大小、晶体结构和形貌进行了表征．结果表明，表面活性剂的加人是形成纳米级TiO2的关键因素，制备出的纳米TiO2颗粒不经过烧结就具备了锐钛矿结构，并且在沸水呈碱性的条件下制备出的TiO2颗粒的尺寸要比酸性条件下的小．另外讨论了表面活性剂的种类、加入量以及pH对制备TiO2纳米颗粒的影响．

SrWO_4纳米材料的制备及其发光性能

采用反相微乳液法和溶剂热法制备了SrWO4纳米材料,探讨了反应条件对产物的结构和形貌的影响,采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和光致发光(PL)谱等手段表征了产物结构、形貌,测试了发光性能。结果表明,采用微乳液法制备SrWO4材料时,反应时间和表面活性剂浓度是影响SrWO4产物形貌的重要因素,通过改变这2个因素得到了不同形貌的SrWO4纳米材料,如菜花状、树杈状、花束状等。而溶剂热法只得到SrWO4纳米颗粒。室温PL谱表明,所制备的SrWO4材料具有较强的绿光(400～450nm)发射光谱。

应用于DRAMs的钛酸锶钡薄膜的研究进展

随着 DRAMs 存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的 DRAMs 技术的发展。在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注。介绍了随 DRAMs 的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题。

BST／PVDF复合薄膜的制备及其介电性能

以溶胶-凝胶法制备出钛酸锶钡（Ba0.65Sr0．35TiO3）粉体，并对粉体进行表面改性处理，然后将处理和未处理的粉体按不同的比例与聚偏氟乙烯（PVDF）进行复合．用甩胶法做成薄膜样品．对样品进行了介电性能的测试。实验结果表明：复合薄膜的介电常数实测值与理论值符合得较好．随着薄膜中BST粉体比例的增加，复合薄膜的介电常数和介电损耗增大：经表面改性后的BST粉体所制备的复合薄膜与未经改性所制备的薄膜相比．介电常数略有上升。而介电损耗显著下降。

ZnO薄膜的p型掺杂研究进展

ZnO作为重要的第三代半导体材料在光电领域具有广泛的应用前景因而引起越来越多的关注,ZnO薄膜的p型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键,也是ZnO材料的主要研究课题。本文论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法,概述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,提出了有待进一步研究的问题。

不同形貌的CaWO_4材料的微乳液法制备及其发光性能

利用微乳液法合成出了不同形貌的CaWO4材料,利用XRD、FESEM和PL谱对样品的结构、形貌和光致发光性能进行了表征。通过改变微乳液体系中表面活性剂CTAB浓度得到了近球状、花球状及纺锤体状等结构的CaWO4材料。增加反应物的浓度和反应时间,CaWO4样品的体积有进一步增大的趋势。CaWO4样品的室温PL谱表明样品的发光峰位于410～430 nm内,不同形貌的CaWO4样品的发光峰位置和发光强度不同。

用于全固态锂电池的LiSiPON电解质薄膜的制备及电导性能研究

利用磁控溅射方法在N2气氛下制备出了LiSiPON电解质薄膜，研究了薄膜的结构、形貌和组成，着重探讨了薄膜中N含量对薄膜离子电导率的影响。随着N2分压的增加，薄膜中的N含量逐渐增加，0.53Pa时达到最大，超过此分压N含量又逐步下降。随着薄膜中N含量的增加，离子电导率提高，最大达10．4×10^-6S／cm（室温），这对固态电解质薄膜来说是足够了。为了测量电解质薄膜的电化学稳定性，组装了LiCoO2／LiSiPON／SnO2薄膜电池，显示出了良好的循环性能。

反应条件对PbWO_4纳米棒形貌和光致发光性能的影响

采用反相微乳液辅助的溶剂热法合成了不同形貌的PbWO4纳米棒,用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)谱等技术对产物进行了结构表征和发光性能的测试。结果表明:通过改变反应条件如反应温度、时间和表面活性剂的浓度可以得到不同结构与形貌的PbWO4纳米棒,其发光性能也随其形貌不同而不同。

不同形貌的SrMoO_4材料的微乳液及其辅助的溶剂热法制备

通过微乳液法及其辅助的溶剂热法制备出了不同形貌的SrMoO4粉体材料,探讨了工艺参数对SrMoO4材料形貌的影响。微乳液体系中表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)浓度、反应物浓度及溶剂热过程中反应时间、CTAB浓度都会对SrMoO4材料的形貌造成影响。通过调整上述工艺参数可以调控SrMoO4材料的形貌,得到了近球状、哑铃状、纺锤体状、花簇状等特殊形貌的SrMoO4微晶材料。SrMoO4样品的室温光致发光谱是由发光中心在约420nm处的单一紫光组成,样品的形貌不同发光强度和发光峰位置略有不同。

Cr掺杂量对Zn1-xCrxO稀磁纳米材料的结构及性能影响

利用水热法制备了Zn1-xCrxO稀磁纳米材料,采用XRD、FESEM、EDS、PL和VSM等方法对样品的结构与性能进行了表征与分析,考察了Cr掺杂量对Zn1-xCrxO样品的结构与性能影响。XRD分析表明Zn1-xCrxO样品为ZnO六方纤锌矿结构,随着Cr掺杂量增加样品的结晶性能下降,并且样品的形貌由较好的六角棒状结构逐渐变得杂乱;磁滞回线分析表明Zn1-xCrxO样品具有良好的室温铁磁性,Cr掺杂量不同,样品的磁性不同;PL谱表明适量Cr掺杂对ZnO的发光性能有促进作用。

BaMoO4粉体的水热法制备及发光性能研究

利用水热法制备出了不同形貌的白钨矿结构的BaMoO4粉体材料，样品的结构、形貌及光致发光性能利用XRD、Raman、FESEM和PL谱进行了表征，探讨了工艺参数对BaMoO4材料形貌的影响。通过调整反应温度、反应pH值和表面活性剂CTAB浓度可以调控BaMoO4材料的形貌，得到了棱锥状、多面体及树枝状等形貌的BaMoO4材料。BaMoO4样品的室温光致发光谱是由发光中心在约540nm处的单一绿光组成，样品的形貌不同发光强度不同。

立方烷和高立方烷类衍生物的合成及应用

以立方烷和高立方烷的发展过程为线索,详细地叙述了其合成过程,并阐述了相应的合成方法,针对立方烷及高立方烷的特殊结构特点,叙述了其目前作为含能材料和药物的主要应用状况,以及其可观的发展前景。

TiO_2/ZnO薄膜紫外探测器的光电特性

采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2/ZnO复合薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2/ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au/TiO2/ZnO/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,TiO2/ZnO紫外探测器在5 V偏压360 nm紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100 A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于TiO2/ZnO复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流,且其光响应的上升弛豫时间约为22 s,下降响应时间约为80 s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明TiO2/ZnO可作为一种良好的紫外探测材料。

Mg掺杂ZnO薄膜的结构及其光学性能研究

利用射频磁控溅射技术在（100）Si和玻璃衬底上沉积系列Mg掺杂ZnO（x=0~0.20）薄膜,XRD分析结果表明,Zn1-xMgxO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜呈现出c轴择优生长特性,但随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小。当x=0.20时,薄膜出现（100）面衍射峰,薄膜的c轴择优生长特性减弱。SEM分析表明,x=0.10时,薄膜表面平坦光滑,晶粒大小均匀,结构更加致密,结晶质量最佳。紫外可见光透射光谱表明,Mg的掺入提高薄膜在可见光范围内的透过率;同时增大了薄膜的禁带宽度;室温PL谱分析显示所有薄膜均出现了紫外发射峰和蓝光发射带,且紫外发射峰和蓝光发光带都随x值的增加而蓝移。

Zn掺杂TiO_2薄膜紫外探测器及其光电性能研究

采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备Au/TiO2/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,Zn掺杂TiO2紫外探测器在250nm、5V偏压紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于ZnO/TiO2复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流。且其光响应的上升迟豫时间约为22s,下降响应时间约为80s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明Zn掺杂TiO2可作为一种良好的紫外探测材料。