甲烷流量对高掺硼金刚石多晶薄膜形态生长的影响

在不同的甲烷流量下,用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)在N型(100)单晶硅片上制备了掺硼金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜检测的结果表明,随着甲烷流量的增加,掺硼金刚石薄膜的二次形核增加,晶粒尺寸减小,晶界变得模糊,结晶性下降,非金刚石相增多,过高的甲烷流量导致掺硼金刚石薄膜的球状生长.

B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征

采用射频磁控溅射方法．以石墨和六方氮化硼（h-BN）为复合靶，在氩气和氮气的氛围中。在室温和673K的条件下，分别改变N2流量，沉积BCN薄膜．经傅立叶变换红外光谱（FTIR）分析表明，在1000-1800cm-1和2200cm-1处分别出现了C=N键和弱的C≡N键的特征吸收峰．表明沉积的薄膜组分当中，少量碳原子与氮原子结合．而分别溅射石墨和h-BN靶，红外光谱分析显示1100cm-1处不是B--C键．说明采用射频磁控溅射方法得到的薄膜倾向于相分离．