-
题名一种600V高压超结VDMOS结构设计与优化
- 1
-
-
作者
王荣超
王立新
邢心润
王琳
罗家俊
-
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
中国科学院硅器件技术重点实验室
-
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第11期67-72,共6页
-
文摘
基于电荷补偿原理的超结VDMOS(Super-Junction VDMOS,SJVDMOS)器件,比传统的VDMOS具有更低的比导通电阻,更高的击穿电压.文中详细介绍了超结VDMOS元胞设计步骤,之后借助TCAD仿真对超结VDMOS的击穿电压和比导通电阻进行了深入优化,探究了电荷不平衡、漂移区厚度、衬底反向扩散以及表面结构等对击穿电压和比导通电阻的影响.对元胞结构的优化使得超结VDMOS由最初的击穿电压为587V,比导通电阻为7.27mΩ·cm2,优化到最终的击穿电压为662.5V,比导通电阻为6.85mΩ·cm2,性能得到明显改善.
-
关键词
超结VDMOS
比导通电阻
击穿电压
结构优化
-
Keywords
SJVDMOS
specific on-resistance
breakdown voltage
structural optimization
-
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
