用相位分析方法计算交流Stark效应

定态波函数的相位变化极其简单。当原子受到含时间的微扰作用时，任一叠加态中各定态波函数的振幅和相位都随时间作复杂变化。振幅的变化描述跃迁几率，相位的变化体现为原子的能级移动。本文用分析相位的变化来计算能级移动。

一种描述热敏电阻R-T特性的数学模型

本文提出了一个描述半导体热敏电阻 R- T特性的数学公式 ,这一公式不但能更精确描述热敏电阻的 R- T特性 。

量子场作用下二能级原子的AC Stark效应

:计算了处在粒子数态的单模量子场与二能级原子相互作用时能级ACStark移动 ,平均能级移动值随场模波频率变化呈色散线型 ,随场模中光子数的增加会逐渐达到饱和。另外 ,还发现即使是场模中光子数为零 。

交流斯塔克效应的二能级理论(英文)

从二能级理论得到了交流斯塔克效应的两个重要性质：接近共振时，上能级和下能级对称移动而两能级间的平均位置保持不变；能级移动具有饱和性。

光抽运汽室^(87)Rb频标中的微波功率频移

从实验上系统地研究了铷原子频标中的微波功率频移与微波功率的关系 ,结果表明微波功率频移与微波功率呈线性关系 ,而且微波功率频移系数始终为一正值 ,测量得到的相对微波功率频移的精确度可达 1× 10 - 1 1 .

弛豫过程对能级AC Zeeman(Stark)移动的影响

以衰减的Bloch方程理论为基础计算了二能级原子能级ACZeeman(Stark)移动 ,结果表明纵向和横向弛豫过程均会对原子能级移动产生影响 ,随纵向和横向弛豫率的增加 ,能级移动呈现出不同的变化趋势。两种弛豫相对强弱的不同也会直接影响能级移动的色散性和饱和性。

光子统计特性对原子能级ACStark移动的影响

以相干态单模场和单模热光场引起的原子能级ACStark移动为例 ,分析了光子统计特性对能级移动规律的影响。能级ACStark移动中包含了光场统计特性信息 。

铷原子基态子能级的AC Zeeman移动

文中测量了微波场通过 AC Zeeman效应引起铷原子基态超精细子能级移动值 ,系统研究了能级移动随微波场的频率和功率变化所表现出来的规律。

一种描述半导体热敏电阻器R-T特性的数学模型

本文提出了一描述半导体热敏电阻R-T特性的数学公式,用这一公式分析实验数据,通过简单的解析计算不仅可以得到不同精确度的温度值,而且同时还能使热敏电阻材料性质的表征更加细致化。

用二能级理论解释交流Stark效应

用二能级理论的Ｒａｂｉ解说明交流Ｓｔａｒｋ效应。既从原子电偶极矩随外场变化的角度。

深亚微米集成电路制造工艺设计与仿真系统TSUPREM发展与现状

结合集成电路制造工艺仿真系统TSUPREM的发展历史，回顾了集成电路工艺仿真技术的发展，并着重介绍了Avanti公司的深亚微米工艺仿真系统TSUPREM-4 1999.4。

用相位分析法计算交流Stark效应中探测场的谱线响应

在交流Stark 效应的实验观测中, 原子能级的移动是借助探测场谱线位置的移动来进行测量的。相位分析方法不仅便于计算原子的能级移动, 而且也便于计算探测场的谱线响应。本文讨论这方法对探测场的应用。

射频离子阱中的N^＋2的贮存

作细阐述射频离子阱的工作原理．在贮存离子的实验过程中我们观察到了Ｎ２＋的吸收信号，并且发现这种离子吸收信号向锯齿波减小的方向漂移，当信号漂移到一定位置，突然消失．这种现象可由空间电荷效应来解释．

单模量子场作用下二能级原子能级的AC Stark移动

通过分析跃迁概率幅的相位给出了与时间相关的微扰在跃迁过程中引起的能级移动公式 ,计算了处在不同量子态的单模场引起的二能级原子能级的ACStark移动 。