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100mmY系高温靶材及制备工艺
1
作者
李艳红
李孝恩
+3 位作者
邢鸿岩
刘景和
杨魁胜
李建立
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期403-403,共1页
随着世界范围内掀起的超导热,各国都相继也开展了高Tc超导体、高Tc超导薄膜的研制。随着超导薄膜应用研究的深入,小面积膜逐步向大面积膜发展。超导靶材是制备超导薄膜材料的溅射源,因此制备出大面积膜的关键技术是制备高质的靶...
随着世界范围内掀起的超导热,各国都相继也开展了高Tc超导体、高Tc超导薄膜的研制。随着超导薄膜应用研究的深入,小面积膜逐步向大面积膜发展。超导靶材是制备超导薄膜材料的溅射源,因此制备出大面积膜的关键技术是制备高质的靶材。100mmY系高温靶材是从解决高Tc超导粉入手,开展大靶材制备工艺研究的。1实验靶材制备工艺如下:原料配比→生料多次预烧→多次研磨→超导粉→压力成型→烧结工艺→超导靶材→测试超导性→制膜。将粉末按严格1∶2∶3(摩尔比)进行配比,在910℃预烧14h,然后进行研磨;在30~50MPa/cm2压力作用下预烧成型,成型坯料在950℃煅烧14h,以一定速度缓慢降至室温,然后测其Tc值。2结果与讨论优质的超导粉是制备各种超导材料的关键基础材料,光滑平整,靶质致密、成分准确、室温电阻小的大尺寸超导靶材依赖于超导粉的准确成分、纯度、粒度及均匀性等影响因素。超导粉制备大尺寸靶材对成型压力、热处理中的温度与时间对大尺寸靶材的影响。适当的压力才能使靶材不易有夹芯,同时具有较大的机械性能,适当的温度也是必要的。3结论采用本文方法制作靶材,Tc稳定在90K以上,Jc在105以上。
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关键词
超导薄膜
高温靶材
溅射源
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职称材料
PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能的研究
被引量:
1
2
作者
李孝恩
李艳红
+2 位作者
邢鸿岩
刘景和
李建立
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期296-296,共1页
PbWO4晶体的生长及其闪烁性能的研究李孝恩李艳红邢鸿岩刘景和李建立(长春光学精密机械学院,长春130022)StudyonGrowthandScintilationPerformanceofPbWO4Crystal...
PbWO4晶体的生长及其闪烁性能的研究李孝恩李艳红邢鸿岩刘景和李建立(长春光学精密机械学院,长春130022)StudyonGrowthandScintilationPerformanceofPbWO4CrystalLiXiaoenLiYanhong...
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关键词
闪烁晶体
钨酸铅晶体
引上法晶体生长
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职称材料
题名
100mmY系高温靶材及制备工艺
1
作者
李艳红
李孝恩
邢鸿岩
刘景和
杨魁胜
李建立
机构
长春光学精密机械学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期403-403,共1页
文摘
随着世界范围内掀起的超导热,各国都相继也开展了高Tc超导体、高Tc超导薄膜的研制。随着超导薄膜应用研究的深入,小面积膜逐步向大面积膜发展。超导靶材是制备超导薄膜材料的溅射源,因此制备出大面积膜的关键技术是制备高质的靶材。100mmY系高温靶材是从解决高Tc超导粉入手,开展大靶材制备工艺研究的。1实验靶材制备工艺如下:原料配比→生料多次预烧→多次研磨→超导粉→压力成型→烧结工艺→超导靶材→测试超导性→制膜。将粉末按严格1∶2∶3(摩尔比)进行配比,在910℃预烧14h,然后进行研磨;在30~50MPa/cm2压力作用下预烧成型,成型坯料在950℃煅烧14h,以一定速度缓慢降至室温,然后测其Tc值。2结果与讨论优质的超导粉是制备各种超导材料的关键基础材料,光滑平整,靶质致密、成分准确、室温电阻小的大尺寸超导靶材依赖于超导粉的准确成分、纯度、粒度及均匀性等影响因素。超导粉制备大尺寸靶材对成型压力、热处理中的温度与时间对大尺寸靶材的影响。适当的压力才能使靶材不易有夹芯,同时具有较大的机械性能,适当的温度也是必要的。3结论采用本文方法制作靶材,Tc稳定在90K以上,Jc在105以上。
关键词
超导薄膜
高温靶材
溅射源
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
TM261.052 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能的研究
被引量:
1
2
作者
李孝恩
李艳红
邢鸿岩
刘景和
李建立
机构
长春光学精密机械学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期296-296,共1页
文摘
PbWO4晶体的生长及其闪烁性能的研究李孝恩李艳红邢鸿岩刘景和李建立(长春光学精密机械学院,长春130022)StudyonGrowthandScintilationPerformanceofPbWO4CrystalLiXiaoenLiYanhong...
关键词
闪烁晶体
钨酸铅晶体
引上法晶体生长
Keywords
scintillation crystal,lead tungstate crystal,crystal pulling
分类号
O614.433 [理学—无机化学]
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
100mmY系高温靶材及制备工艺
李艳红
李孝恩
邢鸿岩
刘景和
杨魁胜
李建立
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
下载PDF
职称材料
2
PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能的研究
李孝恩
李艳红
邢鸿岩
刘景和
李建立
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
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职称材料
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