Cu-Fe复合材料中铁纤维对其性能的影响

采用液固两相铸造复合工艺制备了铁纤维增强铜基复合材料 ,研究了深度变形过程中铁组元纤维化对复合材料性能的影响 .结果发现 ,在冷拔过程中 ,复合材料的强度随着形变量的增加而增大 ,但只有当中间退火后的形变量高于 0 .5时 ,复合材料中铁纤维的强化作用才比较明显 ,并且形变量越大 ,强化作用越大 .纤维与基体之间是一种弱界面结合 。

半导体器件引线框架材料的现状与发展

本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状 ,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析 ,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展 ,引线框架材料今后的发展趋势。

金属基原位复合材料的特性与进展

本文综述了金属基原位复合材料的特点 ,对该复合材料的结构和机械性能进行了分析 。

等离子渗氮Ti合金基体上的TiN涂层的砂浆冲蚀特性

在射流冲蚀装置中研究了等离子渗氮Ti合金基体上的TiN涂层在砂浆介质中的冲蚀行为。砂浆冲击速度为 6 .4～ 1 5.2m s。结果表明 :在低冲击速度下 ,TiN涂层具有很高的抗冲蚀性能。随着砂浆速度的提高 ,TiN涂层被砂浆击穿甚至开裂 ,对基体的保护作用降低。涂层穿孔后 ,位于冲蚀区中部显露的渗氮基体形成塑性形变条片 ,边缘区则由于砂浆对基体的切削作用而被冲蚀。

高温高压旋转接头伺服环构件用纳米结构铜合金

本文针对高温、高压旋转接头的关键构件伺服环的工况条件,研制了耐磨减摩性能优良的纳米结构的铜合金材料。制备的纳米结构铜合金伺服环的抗拉强度(σb)为930MPa;显微硬度(HV)为280;摩擦系数(K)为0.2。

Bi_2Te_3和Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3的机械合金化法制备及其热电性能

用机械合金法制备了Bi2 Te3和Bi0 .5Sb1 .5Te3两种热电材料。XRD分析表明两种材料分别在球磨 1 75h和 31 5h后完全合金化。机械合金化合金粉末冷压后在不同温度烧结并测量了热电性能 ,其中Bi0 .5Sb1 .5Te3材料480℃烧结样的最高Seebeck系数约为 2 0 0 μV/K。

新型热电材料β-Zn_4Sb_3的电学性能

采用真空熔炼和烧结的方法制备了新型热电材料尽β－Ｚｎ４Ｓｂ３。Ｘ射线衍射分析表明样品为单相。２种样品从室温到７２３Ｋ温度范围内的电学性能测量表明，β－Ｚｎ４Ｓｂ３在５００Ｋ～６５０Ｋ时具有较高的功率因子，真空熔炼样品的性能要优于烧结样品，其功率因子在 ６２３Ｋ时达到最大值 ３．９μＷ．ｃｍ－１．Ｋ－２。结果表明，β－Ｚｎ４Ｓｂ３在热电转换领域有潜在的应用前景。

热电材料:古老的课题,新的研究方法

本文简述了热电材料发展的历史，并对目前热电新材料的研究及制备方法作了概述。指出热电材料的研究将会成为我国材料研究领域的下一个热点。

热压快速凝固Fe_(0.92)Mn_(0.08)Six半导体的热电性能

采用快速凝固和热压的方法制备了p型热电材料Fe0.92Mn0.08Six(x=1.9,2.0,2.1,2.3,2.5)。X射线衍射分析表明,热压试样退火24h后,完全转变为半导体相。所有试样的致密度均高于90%。测量试样的电学性能发现,原料配比为Fe0.92Mn0.08Si2.1的试样在整个测量温度范围内的功率因子最大,550℃时达到了400Wm-1K-1以上。

快速凝固β-FeSi_2半导体的热电性能

研究了由快速凝固粉烧结制备的ｐ型 Ｆｅ０．９２５Ｍｎ０．０７５Ｓｉ２－０．１７％（质量分数）Ｃｕ样品的热电性能随温度的变化。Ｘ射线衍射分析表明，快速凝固粉由α相和ε相组成。烧结样品８００℃退火 ２１ｈ后，完全转变为β半导体相。烧结时间对β－Ｆｅ－Ｓｉ２合金的热电性能有较大的影响，烧结时间地长．Ｓｅｅｂｅｃｋ系数和电阻率越小。

Fe-Sm-Si热电合金的电学特性

采用悬浮熔炼法制备了Fe-Sm-Si热电合金材料,并研究了其电学输运特性。实验表明:在Fe1-xSmxSi2合金中,Sm为n型掺杂元素,Sm轻掺杂时,试样仍为p型,随着Sm量的增加,试样的Seebeck系数和功率因子都降低;Sm含量x 0.4的高Sm硅化物试样为n型,其中,热电性能最好的试样成分为Fe0.6Sm0.4Si2,其电阻率在10-5W穖数量级,而Seebeck系数仍达到80 mV稫-1左右。其机理被认为是由于Sm的4f层电子的贡献。

含稀土硅化铁热电材料的电学性能初探

采用悬浮真空熔炼和800℃,168h真空退火方法制备了含稀土Sm的FeSi2基金属硅化物,并对其晶体结构、See-beck系数、电阻率进行了初步研究。实验发现,名义组成为Fe0.6Sm0.4Si2的试样的热电功率因子从室温时的0.26×10-4W·m-1K-2随温度上升到500℃时的1.6×10-4W·m-1K-2,比不含Sm或含Sm量很少的对比试样高一个数量级左右。其原因被认为是由于Sm的外层4f电子的贡献。

掺N的β-FeSi_2基热电材料电学性能的研究

在氮气和氩气气氛中合成Fe1 9Cr0 1 Si5 0 1Cu ,对比 β FeSi2 和掺N的 β FeSi2 基热电材料 ,进行结构分析 ,密度测量和电学性能研究。结果表明 :两者的密度分别为 3 13 85 g/cm3和 3 14 49g/cm3;在掺N的 β FeSi2 基热电材料中部分过量的Si与N2 产生了反应 ,形成Si3N4 ;掺N样品的功率因子要比没掺N的大 5倍以上 ,说明N的掺入提高样品的电学性能。轻元素的掺杂 ,应是FeSi2 基热电材料的研究方向之一。

火焰喷涂Al_2O_3/TiO_2-NiCrBSi梯度热障涂层的微观组织

采用金相显微镜 ,SEM,EDAX,XRD等手段研究了 1Cr18Ni9Ti基体上氧乙炔火焰喷涂制备的 Al2 O3/ Ti O2 -Ni Cr BSi梯度热障涂层的微观结构。结果表明 ,涂层沿厚度方向陶瓷与合金组元较均匀过渡 ,二者之间结合良好。涂层制备过程中 ,陶瓷 -合金组元之间没有发生化学反应 ,无新相生成。当两组元含量相差较大时 ,涂层形成以高组元为基体相 ,低组元为第二相弥散分布的复合结构 ;当两组元含量相近时 。

含Sm和Cr的P型FeSi_2基热电材料的电学特性

通过高温悬浮熔炼法制备含Cr、Sm的P型FeSi2 基热电材料Fe1 x ySmxCrySi2 ,进行电学性能的测试和研究。实验结果表明Fe1 x ySmxCrySi2 的输运特性是由两种掺杂元素共同作用所决定的 ,Sm对电阻率的变化影响较大 ,而Cr的掺入能提高样品的热电动势率。为提高材料的电学性能 ,Cr的最佳掺杂原子数在 3 .3 3 %左右 ,而Sm的含量应小于 3 .3 3 %。通过Sm、Cr的适当掺杂 ,可得到电学性能优良的FeSi2

含Sm、Mn的P型FeSi_2基热电材料的电学性能

用悬浮熔炼法制备了含Sm、Mn的P型FeSi2基热电材料。实验结果表明,其电学性能是由掺杂的两种元素共同决定的,Sm对降低样品电阻率的作用较大,而Mn有助于提高样品的热电动势率。要保证有较高功率因子,Mn、Sm掺杂总摩尔分数应小于5%,而Mn的最佳掺杂摩尔分数在1.7%左右。

Fe-Si-Ge基合金的电学特性

含Ge的P型FeSi2基热电材料的电阻率有较大的下降,但仍保持较高的热电动势率,其功率因子有很大的提高。但对于N型FeSi2基热电材料,Ge的引入使样品向P型转变,并引起电学性能变差。可见,Ge的引入可提高P型FeSi2基热电材料的电学性能,Fe0.91Cr0.09Si1.6Ge0.4的功率因子达到β FeSi2的10倍左右。

含C、Ge的Fe-Si-Mn基热电材料的电学性能

对掺C和Ge的Fe Si Mn基热电材料的电学性能研究表明,相对于未掺的Fe Si Mn基热电材料,掺C样品的电阻率降低,但热电动势率增加。掺Ge样品的电阻率有所升高,但热电动势率增加更快,因此掺C、Ge样品有较高的功率因子,比未掺样品提高近1倍。

Co对重掺Sm的FeSi_2基热电材料电学性能的影响

用悬浮熔炼法制备了含Sm和Co的N型FeSi2 基热电材料 ,研究了Co对含Sm的FeSi2 材料电学性能的影响。结果表明 ,材料的电学性能是由两种掺杂元素共同决定的 :Sm能明显降低样品的电阻率 ,而适量的Co能提高重掺Sm的FeSi2 基热电材料的α值和功率因子 ,Co在含Sm的FeSi2 中的最佳掺杂摩尔分数为 2 .2 3%左右。

Sm-Fe-Si三元合金电学性能的研究

稀土元素Sm在FeSi2 基合金中以SmSi1 .4 金属相存在。Sm对 β FeSi2 基热电材料的电学性能有显著影响 :对于Fe1 -xSmxSi2 材料 ,当x <0 .2时 ,样品呈现出p型半导体性质 ,其功率因子随x的增加而减少 ;当x >0 .2时 ,样品呈现出n型半导体性质 ,其功率因子随x的增加而增大。Fe0 .6 Sm0 .4 Si2 的功率因子达到 β FeSi2 的 5倍左右。