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题名平面PN结InSb红外焦平面探测器的研究
被引量:3
- 1
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作者
李忠贺
李海燕
杜红燕
亢喆
邱国臣
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期814-816,共3页
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文摘
研究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。
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关键词
锑化铟
离子注入
红外焦平面阵列探测器
平面结
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Keywords
InSb
ion implantation
IRFPA detector
planar PN junction
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分类号
TN213
[电子电信—物理电子学]
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题名基于热扩散制备平面PN结InSb红外焦平面芯片
被引量:1
- 2
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作者
亢喆
邱国臣
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期757-762,共6页
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文摘
研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。
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关键词
锑化铟
红外焦平面阵列探测器
平面PN结
热扩散
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Keywords
InSb
IRFPA detector
planar PN junction
thermal diffusion
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分类号
TN213
[电子电信—物理电子学]
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题名锑化铟红外焦平面器件信号分层问题研究
- 3
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作者
温涛
龚志红
邱国臣
亢喆
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机构
华北光电技术研究所
空军装备部驻北京地区第七军事代表室
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出处
《红外》
CAS
2020年第1期11-14,共4页
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文摘
锑化铟红外焦平面器件在杜瓦测试中常常会出现信号分层问题,由此影响器件制造的成品率。通过对器件杜瓦测试电平图、管芯电流电压测试结果及衬底掺杂浓度进行研究,找到了导致探测器信号分层的原因。进一步的理论分析表明,锑化铟衬底上局部的高浓度掺杂区域会对器件性能造成影响。基于此研究,在芯片的制备过程中可采取相应的措施,最大限度地避免后道工序中的无效工作,从而提高锑化铟焦平面器件工艺线的流片效率。
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关键词
锑化铟
红外焦平面探测器
信号分层
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Keywords
InSb
IRFPA detector
signal layering
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
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题名锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究
被引量:2
- 4
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作者
亢喆
曹海娜
邱国臣
肖钰
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机构
中国电子科技集团公司第十一研究所
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2019年第3期563-568,共6页
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文摘
设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术。包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺。针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响。改进后的工艺在脱水处理后采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。
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关键词
锑化铟
预处理
脱水
干燥
焦平面红外探测器
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Keywords
InSb
pretreatment
dewater
dehydration
IRFPA detector
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
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