自旋阀巨磁电阻传感单元线性处理研究

为研究自旋阀传感器单元自由层易轴取向对其线性度的影响,通过改变诱导磁场取向,制备了自由层易轴沿传感单元电阻条长轴与短轴的两组样品。基于传感单元巨磁电阻效应的测试,发现自由层易轴沿传感单元电阻条短轴的样品,其性能稳定,矫顽力和线性范围基本不受电阻条宽度的影响;而对于自由层易轴沿传感器电阻条长轴的样品,随电阻条宽度的减小,传感器单元的线性范围增大,矫顽力降低。基于能量最小原理,发现自由层形状各向异性能是决定传感单元的线性度的关键参数,通过对其调制,可有效控制巨磁电阻传感器的线性度。

0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究

为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起;而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积。第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响。

栅氧厚度对PROM中存储单元性能影响仿真

研究了栅氧厚度对反熔丝PROM中存储单元性能的影响。通过改变仿真模型中栅氧层的厚度,研究了存储单元的击穿电阻等的性能的变化趋势。仿真结果表明,栅氧厚度减薄可有效提升存储单元的读取速度,但会降低晶体管的可靠性和使用寿命。

Buffer单元单粒子效应及其若干影响因素研究

基于标准0.13μm工艺使用Sentaurus TCAD软件采用3D器件/电路混合模拟方式仿真了buffer单元的单粒子瞬态脉冲。通过改变重离子的入射条件,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)。分析了LET值、入射位置、电压偏置等重要因素对SET峰值和脉宽的影响。研究发现,混合模式仿真中的上拉补偿管将导致实际电路中SET脉冲的形状发生明显的变化。

基于TCAD模拟的Buffer单粒子效应解析分析

半导体器件和集成电路的辐射效应,其本质就是电子空穴对的产生和复合、电荷的传输与收集、界面态和氧化层陷阱电荷积累等一系列的物理过程。这些物理过程会受到各种因素的影响,例如上拉补偿管的尺寸、重离子入射角度、器件的外延层浓度等。使用TCAD器件/电路混合模式仿真了以上这些关键变量,同时分析了以上效应对对Buffer电路单粒子效应的影响。最终实验结果证明该模拟方法接近于真实情景。

两种H形管的抗总剂量性能仿真研究

为了研究0.13μm体硅工艺的抗总剂量效应加固,分别对两种结构的H形管的性能做了仿真研究。仿真结果表明,两种结构的H形管有基本相同的转移特性曲线,但有一种结构的H形管有较大的饱和电流;同时,此结构的H形管还有较强的抗总剂量性能,可考虑在抗辐照要求的集成电路中使用。