单相Fe-N奥氏体的气体渗氮制备工艺

对低碳铁片进行气体渗氮,以制备Fe N单相奥氏体。通过试验,获得奥氏体层生长与渗氮温度、氨分解率、渗氮时间、气体流量间的关系,确定了制备Fe N单相奥氏体的优化工艺范围,制备出尺寸为80mm×15mm×0.1mm的Fe N单相奥氏体,并对其进行X射线、金相、俄歇电子能谱分析以确认组织、相结构和含氮量。

电磁成形翻边过程的研究

对玻璃瓶的电磁成形封装工艺的翻边过程进行了研究 ,试验表明成形的效果对线圈位置敏感。数值模拟表明 :线圈的位置影响成形电磁力大小和分布 。

玻璃瓶的电磁成形封接工艺研究

对玻璃瓶的电磁成形封接工艺进行了研究 ,翻边过程的数值模拟和实验研究表明封接效果对线圈的位置敏感 ,数值模拟还表明 :材料的翻边高速成形类似波的传输过程。对缩管的放电电压、电容等参数进行调节 ,得出了优化的封接工艺。

塑料瓶的电磁成形封口研究

对塑料瓶的电磁成形封接工艺进行研究。通过对放电电压、电容、线圈位置等参数进行调节,得出了优化的封口工艺。试验结果表明:线圈位置,电压对封口效果影响较大。

Fe-N奥氏体中析出纳米级(非汉字符号)现象的初步研究

用TEM对 6 40℃渗氮油淬 ,2 2 5℃等温 3 5h的工业纯铁进行分析 ,观察部位的含氮量 (w)约为 2 2 %～ 2 4%。在“未分解”的奥氏体选区衍射花样中γ′-Fe4N和γ -Fe已明显分离为两套独立的斑点 ,在 (2 0 0 ) γ′的暗场像中显示出在高氮奥氏体内析出高密度纳米级沉淀γ′,其平均尺寸约 10nm ,析出物之间的间距亦为纳米级。根据实验观察结果 。

高氮奥氏体中的高密度纳米级γ′沉淀的TEM观察

用TEM在约 2 2 %～ 2 4%N的奥氏体内观察到纳米级的析出物 ,其尺寸为 10nm ,间距亦为纳米级。提出通过热处理的方法制备纳米材料的新途径。

高氮奥氏体特殊中温转变现象的初步观察

介绍了在含氮量接近质量分数28%的高氮奥氏体中出现的一种特殊的中温转变现象。在奥氏体晶界和晶内萌生细小的分解核心,在核心内可以看到更细小的析出物,随后分解核心长大十分缓慢而核心的数量不断增加,最终各个细小的分解核心连成一片,形成高度弥散的分解产物,在其上分布着大量细小析出物,明显不同于马氏体或下贝氏体的针片状组织。分解产物的硬度高达900HV左右,明显高于回火马氏体的硬度。这种高氮奥氏体的等温分解过程有相当长的孕育期,随后分解量随时间的延长而增加,最终可达100%分解。初步观察的结果表明,其组织形貌和转变动力学都与贝氏体转变或马氏体转变有明显的区别。

高氮奥氏体中温非连续相变TEM观察

用 TEM对高氮奥氏体 2 2 5℃中温回火 3.5 h的试样进行了仔细的观察。结果发现 :高氮奥氏体在以连续相变方式析出弥散γ′- Fe4 N的同时 ,还存在几种不同形貌的非连续相变分解产物。除了常见的在晶界、位错、孪晶界等缺陷位置出现以非连续相变方式形成的层片状结构外 ,还在晶内发现有纺锤状的转变产物 ,它们沿一定的方位平行分布 ,其内部具有层片状的亚片条。晶界处的分解产物由γ′- Fe4 N和α- Fe两相平衡组织组成 ,其余都只发现γ′- Fe4 N与贫氮γ-Fe的两相亚稳定组织。作者认为 :高氮奥氏体中温分解是个多种机制并存的复杂相变过程 ,有待进一步深入探讨。

高合金钢固体渗碳及渗层扩散的计算机模拟

讨论了高合金钢固体渗碳和渗碳后渗层的扩散处理 ,提出了计算高合金钢固体渗碳及渗件表面不发生脱碳情况下渗层扩散处理的碳浓度分布的数学模型 ,以此模型对 3Cr13和Cr10钢固体渗碳和渗层扩散处理的碳浓度分布进行了计算机模拟。模拟结果与相应的试验结果基本吻合 ,表明了本文的数学模型及方法是可行的。

高氮奥氏体晶界处中温分解研究

利用 SEM和 TEM研究了高氮奥氏体 2 2 5°C等温过程中原奥氏体晶界区域的分解现象 .结果表明 ,高氮奥氏体晶界附近的分解产物与晶内截然不同 ,形成 α- Fe+γ′- Fe4N两相组织 .α- Fe相与γ′- Fe4N片条与原奥氏体晶界具有多种位相关系 ,相互间隔分布 ,并由更为细小的亚片条组成 .高氮奥氏体晶界分解区的组织与贝氏体有相似之处 ,但也有一定的区别 .

高氮奥氏体中温转变研究

用透射电子显微镜 (TEM )对高氮奥氏体中温回火的相变特征作进一步的观察 ,发现晶内首先发生连续相变形成亚稳定体系 ,该连续分解产物与晶界、位错等缺陷处的非连续分解产物各自形成独立的分解区域。随回火时间延长 ,进一步分解成稳定的α +γ′ Fe4 N ,最终形成二相纳米尺度稳定组织 ,硬度超过 90 0HV。

高氮奥氏体的等温分解

采用纯铁片 640℃渗氮后油淬制得含有化合物层、高氮奥氏体层以及含氮马氏体层的 Fe- N合金薄片。利用光学显微镜、扫描电镜、显微硬度计及 X射线衍射仪分析了高氮奥氏体的等温分解过程。实验发现 ,渗层内高氮奥氏体的分解始于奥氏体层与化合物层的界面附近 ;分解产物的核心数目很多而核心的长大相当缓慢 ;分解产物高度弥散 ,硬度值高达 80 0 HV以上 ;分解产物的形貌既不同于回火马氏体 ,也不同于一般的贝氏体。

新材料行业存在问题与对策分析

一、存在的问题 ●半导体材料行业的企业规模小、技术相对落后、深加工能力低,设备引进一直受到国外制约,影响了行业竞争力的提高。 ●我国是稀土材料资源大国但不是产业大国,由于存在重复建设、地方保护等问题,造成国内外市场严重过剩,价格下降。 ●纳米材料的科学研究在世界上并不落后,但在产业化方面却是障碍多多,真正形成产品的多是初级产品,盈利更是不多。 ●磁性材料方面我国具有一定的规模和技术优势,走出了具有特色的产业化道路;而在能源材料方面基本保持与国际同步。

新材料发展尚须努力

新材料是世界各国普遍关注的领域,也是我国在各行业中居于世界领先地位的领域之一,但目前整休状况喜忧参半,本文就目前发展态势做一分析,并依照我国现状提出几项改进方案:一、政策背景 新材料与生物技术、信息技术并列为二十一世纪的三大技术源动力之一,国家对新材料行业给予了重点支持,大致分为三大类: 前瞻性的基础研究资助:主要集中在国家自然科学基金、国家高技术研究与发展计划（863计划）、国家重点基础研究计划（973计划）、国家计委高科技产业化新材料专项。

电磁成形工艺及其应用

电磁成形具有生产效率高和模具简单的优点，既可成形又可落料，可用于胀型、缩型，也可用于平板成形，甚至可用于焊接，在航空、仪表、玩具等行业用途广泛。本文介绍了电磁成形的工艺及在工业中的一般应用。

电磁成形新型放电间隙试验研究

概述了电磁成形加工的原理及工作过程，设计并制作了用于电磁成形的以电磁铁为动力的新型放电间隙，从而解决了需经常对间隙进行调整的问题，且延长了放电间隙的有效工作寿命。

生益科技:中长期投资机会到来

事件:1、2008年9月26日,东莞市电子工业总公司截止2008年9月24日,从二级市场买入58.859万股,由占有公司总股本的17.92%上升到17.98%,公司拟在发布公告之内12个月内继续从二级市场增持不超过已发行总股本的2%。2、2008年9月16日,公司董秘温世龙从二级市场买入14.1043万股,由持有公司0.9750股增加到15.0793万股。

G法拉 成长预期明确

公司客户结构成功转型,由于产品具备国际竞争力,长期成长预期明确,有望进入有机薄膜电容器行业全球前三位。

G法拉 成功转型中高端市场

法拉电子是一家具有国际竞争力的企业,将从全球行业竞争中胜出,有望成为国际前三的直流薄膜电容器制造商,长期成长预期明确。最近3年成长的直接动力来自客户的升级和开拓,间接动力来自需求的结构升级、新产品和新市场的开拓,目前价格被低估30%,建议买入。

电子元器件:国际盈利预测下降 复苏持续蒙上阴影

最近国际电子元器件复苏出现阴影，各子行业景气度开始分化：IC产业见顶迹象出现；液晶价格拐点提前在7月到来；PCB行业上游受益，CCL长期毛利率敏感，PCB随产品不同而分化；玻壳彩管销售平稳；被动元器件延续温和反弹态势、薄膜电容器持续景气。